[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种例如半导体晶圆、液晶显示器用的玻璃基 板(FPD基板)这样的基板的处理装置。

背景技术

作为半导体器件、FPD基板的制造工艺之一的在基板上形 成抗蚀剂图案的工序，利用通过在基板例如半导体晶圆(以下 称作晶圆)上形成抗蚀剂膜、使用光掩模将该抗蚀剂膜曝光之 后进行显影处理而获得期望图案的一连串工序来进行，这些一 连串工序以往利用涂敷、显影装置来进行。

例如，利用该显影装置完成显影处理后的晶圆进行后烘烤 (post baking)的加热处理，通过显影形成抗蚀剂图案之后， 通过使残留在抗蚀剂膜中或者表面上的显影液、冲洗液蒸发而 将其除去。这是用于使抗蚀剂固化并强化其与晶圆的紧贴性的 热处理。例如以130℃～200℃的温度进行。

该后烘烤处理结束，晶圆会返回到盒站的盒(FOUP)中， 将高温处理后的晶圆自加热处理装置取出而在温度较高的状态 下容纳于盒(FOUP)中。于是，存在盒(FOUP)蓄热的问 题、因晶圆的温度下降不均匀而导致晶圆翘曲的情况。

为了解决上述问题，以往，在盒站与处理站之间设置也用 于晶圆交接的冷却载置台(TCP)，该冷却载置台构成为能利用 汽缸等的驱动使用于保持基板的能突出、没入的多个支承销上 下运动。该冷却载置台在其内部通入有冷却水，是能够将载置 的基板冷却至规定的温度的构造(例如参照专利文献1)。

采用专利文献1所述的技术，通过在使后烘烤处理后的高 温的晶圆从处理站返回到载体站时使其通过该交接冷却载置 台，能够将晶圆降低温度后容纳于盒中。

另外，在专利文献1所述的内容中存在这样的情况，即， 在对晶圆进行抗蚀液的涂敷处理之后，利用曝光机对电路图案 进行曝光处理，然后在接口部接收晶圆，在交接到处理站后进 行加热处理的晶圆流动时，将设置于沿纵向排列的处理装置群 G4上的冷却装置用作交接台。在这种情况下，能够在将通过的 晶圆温度调整为无偏差的状态之后，供接下来的处理部进行处 理。

专利文献1：日本特开平11-54428号公报(第0027段， 图1、图3～图7)；

但是，最近的高生产率的涂敷、显影装置寻求应对处理单 元的处理高效率化、并且输送装置的处理速度也变快的、应对 高生产率的曝光机，例如每1小时的处理能力为180张～250张 等能够进行高速处理的系统。因此，努力地极力减少无用的时 间。

其中，在专利文献1所述的交接冷却处理装置的构造中， 采取由输送装置的臂将晶圆交接到冷却载置台上时，在暂时使 3个支承销保持晶圆之后使其下降而将晶圆冷却的方法。另外， 接收晶圆侧的输送装置的臂也构成为，在利用支承销使冷却后 的晶圆上升待机的时机接收晶圆。

因此，为了提高生产率，为了以专利文献1所述的构造进 行应对，需要增加搭载的数量，需要确保搭载空间、重新研究 冷却水供给、重新研究输送装置的移动轴等进行多种研究和应 对。

发明内容

本发明即是在这样的状况下做成的，其目的在于提供一种 在高生产率的系统中削减无用的时间、具有交接基板的功能且 迅速地将高温的基板降温调节至规定温度的基板处理装置。

为了解决上述问题，本发明的基板处理装置包括：用于对 基板进行加热处理的加热处理部、自加热处理部接收由上述加 热处理部加热处理后的基板并将其载置于交接部的第1基板输 送部件、具有自上述交接部接收被载置于该交接部的基板并将 其输送的板状的基板保持部的第2基板输送部件，其特征在于， 上述交接部包括：载置台，其具有载置基板的冷却面；温度调 节流路，其设置在上述载置台的内部，流通有用于将该载置台 冷却至比上述加热处理温度低的温度的温度调节水；凹部，其 设置于上述载置台的冷却面上，并且是比上述第2基板输送部 件的基板保持部的平面形状稍大一些的相似形状，而且能够使 上述基板保持部的保持平面相对于上述冷却面突出、没入(技 术方案1)。

通过这样地构成，在基板输送部件与基板交接部之间的基 板的交接控制中，即使不进行以往所使用的将基板交接到基板 支承销的动作，也能够将基板直接载置于载置台的冷却面上， 因此，能够缩短加热处理后的基板的冷却时间。