[发明专利]集成电路装置、非接触/接触电子装置以及移动信息终端无效

专利信息
申请号: 200910258014.2 申请日: 2009-12-09
公开(公告)号: CN101751597A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 渡边一希;角田尚隆 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: G06K19/07 分类号: G06K19/07;H04W88/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 装置 接触 电子 以及 移动 信息 终端
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路装置,其特征在于,包括:

天线端子,其能够与天线连接;

整流电路,其通过对供给到上述天线端子的高频信号进行整流来 向内部电源线输出直流电压;

电源电压端子,其能够供给来自外部的电源电压;

并联稳压电路,其包括连接于上述内部电源线和接地电位之间的 下拉晶体管,当上述内部电源线的电压上升至第一设定电压以上时使 下拉电流流过上述下拉晶体管;以及

串联稳压电路,其包括连接于上述电源电压端子和上述内部电源 线之间的上拉晶体管,当上述内部电源线的电压降低至第二设定电压 以下时使上拉电流流过上述上拉晶体管,

上述第一设定电压的电压电平被设定为高于上述第二设定电压 的电压电平。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置,其特征在于,

上述并联稳压电路还包括:连接于上述内部电源线和上述接地电 位之间的第一分压电路;响应该第一分压电路的分压输出和第一基准 电压来控制上述下拉晶体管的输入端子的第一运算放大器;

上述串联稳压电路还包括:连接于上述内部电源线和上述接地电 位之间的第二分压电路;响应该第二分压电路的分压输出和第二基准 电压来控制上述上拉晶体管的输入端子的第二运算放大器。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置,其特征在于,

上述下拉晶体管是N沟道MOS晶体管,上述上拉晶体管是P沟 道MOS晶体管。

4.一种半导体集成电路装置,其特征在于,包括:

天线端子,其能够与天线连接;

整流电路,其通过对供给到上述天线端子的高频信号进行整流来 向内部电源线输出直流电压;

电源电压端子,其能够供给来自外部的电源电压;

并联稳压电路,其包括连接于上述内部电源线和接地电位之间的 下拉晶体管,在上述内部电源线的电压上升至第一设定电压以上时使 下拉电流流过上述下拉晶体管;

串联稳压电路,其包括连接于上述电源电压端子和上述内部电源 线之间的上拉晶体管,当上述内部电源线的电压降低至第二设定电压 以下时使上拉电流流过上述上拉晶体管;以及

控制电路,其与上述并联稳压电路和上述串联稳压电路相连接,

在上述并联稳压电路和上述串联稳压电路同时工作时,上述控制 电路能够将上述第一设定电压的电压电平控制在高于上述第二设定 电压的电压电平的电平上。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置,其特征在于,

上述并联稳压电路还包括:连接于上述内部电源线和上述接地电 位之间的第一分压电路;响应该第一分压电路的分压输出和第一基准 电压来控制上述下拉晶体管的输入端子的第一运算放大器;

上述串联稳压电路还包括:连接于上述内部电源线和上述接地电 位之间的第二分压电路;响应该第二分压电路的分压输出和第二基准 电压来控制上述上拉晶体管的输入端子的第二运算放大器。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置,其特征在于,

上述控制电路用于检测是否向上述天线端子供给上述高频信号,

上述控制电路响应上述高频信号的上述供给的检测结果来控制 上述串联稳压电路的上述第二分压电路,从而能够将上述第二设定电 压的电压电平控制在低于上述第一设定电压的电压电平的电平上。

7.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置,其特征在于,

上述控制电路用于检测是否向上述电源电压端子供给上述电源 电压,

上述控制电路响应上述电源电压的上述供给的检测结果来控制 上述并联稳压电路的上述第一分压电路,从而能够将上述第一设定电 压的电压电平控制在高于上述第二设定电压的电压电平的电平上。

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