[发明专利]用于制造半导体激光器的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法，具体地涉及一种优选地应用于在端面附近具有电流非注入结构的脊形条半导体激光器的制造的方法。 

背景技术

已经有提出的基于氮化物的半导体激光器，其中谐振器的两个端面附近的部分用作电流非注入区域以便抑制由于伴随输出增加的COD(Catastrophic Optical Damag，光学灾变)引起的端面退化(参考例如日本未审查专利申请第2005-216990号公开)。图28至30示出了半导体激光器。 

在图28所示的半导体激光器中，在生长在n型GaN基底101上的氮化物半导体生长层102上形成用作发光部分的脊形激光器条，即脊形条103。脊形条103的顶部包括p型GaN接触层102a。 

如下形成脊形条103。在氮化物半导体生长层102上形成与将要形成的脊形条103对应的条形抗蚀剂层(未示出)。接着，采用抗蚀剂层作为掩模，通过干法蚀刻来蚀刻氮化物半导体生长层102以形成脊形条103。 

接着，在整个表面的上方形成用作电流限制层的SiO₂掩埋层104，然后通过蚀刻来移除布置在脊形条103上的SiO₂掩埋层104的一部分。接着，在脊形条103的顶部上的p型GaN接触层102a上形成p侧电极105以避开接近端面的区域。因此，在脊形条103的端面的附近提供了未形成p侧电极的区域以作为电流非注入区域106。 

在图29所示的半导体激光器中，在氮化物半导体生长层102和接近脊形条103的端面的区域内的p侧电极105之间插入SiO₂绝缘层107。氮化物半导体生长层102和p侧电极105用SiO₂绝缘层107电绝缘，以在脊形条103的端面附近提供电流非注入区域106。 

在图30所示的半导体激光器中，硼(B)离子注入脊形条103的端 面附近的p型GaN接触层102a的区域中，以形成用作电流非注入区域106的高电阻区域。或者，在脊形条103的端面附近的p型GaN接触层102a的区域中产生干法蚀刻损伤。然后，p侧电极105与其中产生干法蚀刻损伤的p型GaN接触层102a的区域进入肖特基(Schottky)接触，从而在脊形条103的端面附近形成电流非注入区域106。 

发明内容

但是，在图28所示的半导体激光器中，脊形条103是通过采用作为掩模的有机抗蚀剂层来蚀刻氮化物半导体生长层102而形成的。因此，存在以下问题。由于氮化物半导体生长层102的表面容易被有机抗蚀剂层污染，因此作为与p侧电极105的接触界面的脊形条103顶部处的p型GaN接触层102a的表面状态变得不稳定。因此，提高了p侧电极105的接触电阻，从而提高了半导体激光器的工作电压。 

此外，通过蚀刻SiO₂掩埋层104来暴露p型GaN接触层102a的表面以实现与p侧电极105的欧姆接触而不损伤p型GaN接触层102a的表面是非常困难的。此外，钯/钼/金(Pd/Mo/Au)被用作p侧电极105，但是p侧电极105的底层中的钯(Pd)膜到电流限制SiO₂掩埋层104的粘附力低，从而引起p侧电极105在其间的界面处分离的问题。 

在图29所示的半导体激光器中，像在图28所示的半导体激光器一样，难以暴露处于电流注入区域内的脊形条103的顶部处的p型GaN接触层102a的表面。此外，p侧电极105的底层上的钯膜到电流限制SiO₂掩埋层104的粘附力低，从而引起p侧电极105在其间的界面处分离的问题。 

在图30所示的半导体激光器中，像在图28所示的半导体激光器一样，p侧电极105的底层中的Pd膜到电流限制SiO₂掩埋层104的粘附力低，从而引起p侧电极105在其间的界面处分离的问题。 

如上所述，用于在基于氮化物的半导体激光器的端面附近形成电流非注入结构的方法有许多问题需要解决。 

因此，期望提供一种用于制造采用基于氮化物的III-V族化合物半导体的半导体激光器的方法，所述方法能够容易地在端面附近形成电流非注入区域，并且实现脊形条和电极之间具有低接触电阻的良好欧姆接触。 

此外，期望提供一种用于制造采用基于氮化物的III-V族化合物半导体的半导体激光器的方法，所述方法能够容易地在端面附近形成电流非注 入区域，并且改善电流限制绝缘膜和电极之间的粘附。