[发明专利]用于制造半导体激光器的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体激光器的方法，包括以下步骤：

形成具有与脊形条对应的条形掩模部分的掩模层，所述掩模层将形成 在其中形成激光器结构的基于氮化物的III-V族化合物半导体层上；

利用所述掩模层将所述基于氮化物的III-V族化合物半导体层蚀刻至 预定深度以形成所述脊形条；

形成抗蚀剂层以覆盖所述掩模层和所述基于氮化物的III-V族化合物 半导体层，使得所述抗蚀剂层的厚度在与所述脊形条的电流注入区域相对 应的所述掩模层的一部分条形掩模部分上最小化；

回蚀所述抗蚀剂层，直到暴露所述掩模层的条形掩模部分为止；

通过蚀刻来移除所述掩模层的暴露的条形掩模部分，以暴露所述脊形 条的上表面；

在所述抗蚀剂层和所述暴露的脊形条上形成用于形成电极的金属膜， 以在所述脊形条上形成电极，其中布置在谐振器端面形成位置和所述电极 之间的一部分所述脊形条用作电流非注入区域；

移除所述抗蚀剂层连同其上形成的所述金属膜；以及

在移除所述抗蚀剂层后通过蚀刻来移除所述掩模层。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体激光器的方法，其中通过 以下步骤形成所述抗蚀剂层：形成第一抗蚀剂层以覆盖所述掩模层和所述 基于氮化物的III-V族化合物半导体层；在所述第一抗蚀剂层中形成开口， 所述开口包括所述脊形条的电流注入区域，并且在所述脊形条的延伸方向 上具有与所述电流注入区域的长度相等的宽度；然后在所述第一抗蚀剂层 和所述开口上形成第二抗蚀剂层。

3.根据权利要求2所述的用于制造半导体激光器的方法，在通过蚀 刻移除所述掩模层之后还包括以下步骤：形成电流限制绝缘膜，所述电流 限制绝缘膜在所述电极、其上没有形成所述电极的一部分所述脊形条的上 表面、所述脊形条的双侧表面和所述脊形条的双侧的底部上延伸。

4.根据权利要求3所述的用于制造半导体激光器的方法，还包括以 下步骤：在形成所述电流限制绝缘膜之后，蚀刻掉布置在所述电极上的一 部分所述电流限制绝缘膜以暴露所述电极。

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体激光器的方法，还包括以 下步骤：在暴露所述电极之后，形成在所述电极和所述电流限制绝缘膜上 延伸的衬垫电极。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体激光器的方法，其中所述 脊形条的顶端部分包括p型接触层，并且所述电极是与所述p型接触层相 接触的p侧电极。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体激光器的方法，其中所述 电极的底层由Pd或Ni组成，并且所述衬垫电极的底层由钛组成。