[发明专利]电磁波抑制片、装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种包括电磁波抑制材料的电磁波抑制片，其用作对从电子设备产生的不必要辐射的防范措施，涉及一种包括电磁波抑制片的装置，并涉及一种带有电磁波抑制片的电子设备。特别地，本发明适合GHz频带的电磁波抑制。

背景技术

随着近来电信设备的迅速普及，移动电话(1.5，2.0GHz)、PHS(1.9GHz)、无线LAN(2.45GHz，5.0GHz)等GHz频带的电磁波迅速得到了越来越多的使用。

此外，LSI驱动频率超过GHz的设备的数量也越来越多，并且它们的谐波具有更高频率分量。

如上所述，潜在的电磁波发生源的数量、受干扰影响的物体数量以及它们的变化正在以指数速度增加。因此，在GHz频带中引起电磁干扰(EMI)的风险正在以天文方式增加。

为了解决电磁干扰的问题，各设备必须对来自外部的电磁波具有充分的抗扰性(抗扰性提高)，而不发射妨碍其它设备正常操作的不必要的电磁波(发射抑制)。

这称为电磁兼容性(EMC)。为了使电子设备在电磁环境中建立电磁兼容性，定义了各种标准。

目前，作为解决电磁干扰问题的方法，使用电磁波抑制片(电磁波吸收片)。通常的电磁波抑制片具有例如树脂和磁材料粒子或导电材料粒子的复合结构(例如参见日本专利申请公开No.2003-174279(以下称为专利文件1))。

这里，转换成热能的方式分为三种类型：导电损失、介电损失和磁性损失。此时，每单位体积的电磁波吸收能量P(W/m³)表示为下面表达式(1)：

P＝1/2σ|E|²+πfε”|E|²+πfμ”|H|²    (1)

其中E表示电场，H表示磁场，f表示电磁波的频率，σ表示电导率，ε表示复数电导率(ε＝ε’-jε”)，μ表示复数导磁率(μ＝μ’-jμ”)。

在表达式(1)，第一项表示电导率损失，第二项表示介电损失，第三项表示磁性损失。

用作产生大电流变化的部件的防范措施的电磁波抑制片通常由磁性材料制作。

为抑制和吸收电磁波的磁分量，设计由磁性材料制作的电磁波抑制片，以便表达式(1)表示磁性损失的第三项的导磁率的虚部μ”较高。

如上所述的电磁波抑制片连接到LSI封装、印刷电路板、FPC(柔性印刷电路)、导线、金属部件等并被实施。

另外，为了增加RFID的天线效率，使用电磁波抑制片，由此抑制天线和金属部件之间的干扰。

发明内容

然而，现有的电磁波抑制片主要用在MHz频带。这个频带中，获得较大的导磁率的虚部μ_r”，但当频带超过1GHz(Snoek极限)时，其特性降低。

这里，为几种商业可用电磁波抑制片测量导磁率(相对导磁率的虚部μ_r”)。图11表示测量结果。

另外，建立了(相对导磁率：μ_r)＝(导磁率：μ)/(真空的导磁率：μ₀)。

如图11所示，相对导磁率的虚部μ_r”在MHz频带中具有非常大的值，但在GHz频带急剧降低。在5GHz，虚部“μ_r”的值小于3。

考虑到上述情况，希望提供一种即使在GHz频带中也具有充分的导磁率并且能够实现充分的电磁波抑制效果的电磁波抑制片。另外，希望提供一种包括所述电磁波抑制片的装置和电子设备。

根据本发明的实施例，提供了一种通过把金属磁性粒子混合到树脂中并形成为片形状而获得的电磁波抑制片。该电磁波抑制片中，当施加沿平面内方向的1kOe的外部磁场时，矫顽力为320[A/m]或更大并且饱和磁化强度为0.35[Wb/m²]或更大。

根据本发明的另一实施例，提供了一种装置，包括：集成电路元件的封装和连接到该集成电路元件的封装的电磁波抑制片。该电磁波抑制片具有根据本发明实施例的结构。

根据本发明的另一实施例，提供了一种电子设备，包括：集成电路元件、配线和设置在集成电路元件和配线之一附近的电磁波抑制片。该电磁波抑制片具有根据本发明实施例的结构。

根据本发明实施例的电磁波抑制片的结构，当施加沿所述片的平面内方向的1kOe的外部磁场时，矫顽力为320[A/m]或更大并且饱和磁化强度为0.35[Wb/m²]或更大。因此，在5GHz的电磁波抑制片的相对导磁率虚部的值能够是大值，具体地是3或更大。