[发明专利]电磁波抑制片、装置和电子设备

权利要求书

1.一种电磁波抑制片，其通过把金属磁性粒子混合到树脂中并形成为片形状而获得，

其中当施加沿平面内方向的1kOe的外部磁场时，矫顽力为320[A/m]或更大并且饱和磁化强度为0.35[Wb/m²]或更大。

2.权利要求1所述的电磁波抑制片，

其中，(施加所述外部磁场时的所述饱和磁化强度)/(所述矫顽力)的值落在0.0006至0.0016[(Wb/m²)/(A/m)]的范围内。

3.权利要求1所述的电磁波抑制片，

其中，所述金属磁性粒子具有扁平形状和球形形状之一。

4.权利要求1所述的电磁波抑制片，

其中，所述金属磁性粒子由从Fe、Co、Fe-Al-Si基合金、Fe-Si-Cr基合金、Fe-Si基合金、Fe-Ni基合金、Fe-Co基合金、Fe-Co-Ni基合金和Fe-Cr基合金之中选择的至少一种金属磁性材料构成。

5.权利要求1所述的电磁波抑制片，

其中在5GHz，相对导磁率的虚部为3或更大。

6.权利要求1所述的电磁波抑制片，

其中除了所述金属磁性粒子之外，所述树脂中还混合了导电材料的粒子。

7.权利要求1所述的电磁波抑制片，

其中，所述金属磁性粒子被混合到树脂中的层和所述导电材料被混合到树脂中的层被层叠。

8.一种装置，包括：

集成电路元件的封装；

电磁波抑制片，其通过把金属磁性粒子混合到树脂并形成为片形状而获得，在该电磁波抑制片中，当施加沿平面内方向的1kOe的外部磁场时，矫顽力为320[A/m]或更大并且饱和磁化强度为0.35[Wb/m²]或更大，所述电磁波抑制片被结合到所述集成电路元件的封装。

9.一种电子设备，包括：

集成电路元件；

配线；

电磁波抑制片，其通过把金属磁性粒子混合到树脂并形成为片形状而获得，在该电磁波抑制片中，当施加沿平面内方向的1kOe的外部磁场时，矫顽力为320[A/m]或更大并且饱和磁化强度为0.35[Wb/m²]或更大，所述电磁波抑制片被设置在所述集成电路元件和所述配线之一的附近。