[发明专利]基板载置台和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在对液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)制造 用的玻璃基板、半导体晶片等基板进行干蚀刻等处理的基板处理装置 中，在处理容器内载置基板的基板载置台和应用该基板载置台的基板 处理装置。

背景技术

例如，在FPD或半导体的制造工艺中，对作为被处理基板的玻璃 基板或半导体晶片进行干蚀刻、溅射、CVD(化学气相生长)等各种 处理。

这样的处理，例如在将基板载置在设置于腔室内的基板载置台上 的状态下进行。基板相对于基板载置台的装载和卸载通过使基板载置 台具有的多个升降销升降而进行。即，在装载基板时，在使升降销从 载置台本体的表面突出的状态下，将载置在搬送臂上的基板转移至销 上，并使升降销下降。另外，在卸载基板时，从基板载置在载置台本 体上的状态开始，使升降销上升，从而使基板从载置台本体表面上升， 在该状态下，将基板转移至搬送臂。这样的技术为惯用技术，例如已 在专利文献1中公开。

以LCD为代表的FPD用的玻璃基板趋向大型化，要求一边超过 2m的那样的巨大基板，在要利用升降销支撑这样的大型基板的情况 下，像以往那样支撑基板的周边部时，玻璃基板会产生弯曲，有可能 不能对基板进行准确的装载和卸载，因此不得不在基板的中央部也设 置升降销。因此，在玻璃基板的中央部也设置有升降销。

可是，在对FPD用的玻璃基板进行等离子体蚀刻的蚀刻装置的情 况下，在腔室内配置有一对平行平板电极(上部和下部电极)，基板载 置台作为下部电极起作用。在这样的下部电极中，在如上述那样在玻 璃基板的中央部设置升降销的情况下，从提高蚀刻处理的面内均匀性 的观点出发，要使用导电性的销作为升降销，并使其与下部电极为相 同电位，从而确保蚀刻处理的均匀性。

[专利文献1]特开平11-340208号公报

然而，在对玻璃基板和石英基板等绝缘性基板进行等离子体蚀刻 那样的等离子体处理的情况下，在与形成于基板载置台中的升降销的 插通孔对应的部分，鞘(sheath)区域的电磁场不均匀，由此判明，升 降销的孔的正上方位置的蚀刻速率与其它部分不同。这是结果会产生 蚀刻残留等的主要原因。

发明内容

本发明鉴于上述情况而做出，其目的是提供一种在对基板进行等 离子体处理时，在与载置台本体的升降销的插通孔对应的位置难以产 生处理不均匀的基板载置台和具有这样的基板载置台的等离子体处理 装置。

为了解决上述问题，本发明的第一方面提供一种基板载置台，其 为在对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置的处理容器内载置 基板的基板载置台，其特征在于，包括：载置台本体；和铅垂地插通 上述载置台本体，以相对于上述载置台本体的表面突出没入的方式自 由升降地设置，用其前端支撑基板以使基板升降的多个升降销，其中， 上述升降销的至少前端部为导电性的，并且，上述升降销能够位于在 等离子体处理时退避至上述载置台本体内的退避位置、和从上述载置 台本体突出以支撑基板的支撑位置，当位于上述退避位置时，进行调 整，使得其前端的高度位置为距离基板的背面70～130μm的下方。

在上述第一方面中，优选上述升降销与上述载置台本体为相同电 位。

本发明的第二方面提供一种基板载置台，其为在对基板进行等离 子体处理的等离子体处理装置的处理容器内载置基板、并且作为下部 电极起作用的基板载置台，其特征在于，包括：载置台本体；和铅垂 地插通上述载置台本体，以相对于上述载置台本体的表面突出没入的 方式自由升降地设置，用其前端支撑基板以使基板升降的多个升降销， 其中，上述升降销能够位于在等离子体处理时退避至上述载置台本体 内的退避位置、和从上述载置台本体突出以支撑基板的支撑位置，并 且包括支撑基板的周边部的多个第一升降销和支撑基板的中心部的1 个以上的第二升降销，上述第二升降销的至少前端部为导电性的，当 上述第二升降销位于上述退避位置时，进行调整，使得其前端的高度 位置为距离基板的背面70～130μm的下方。

在上述第二方面中，优选上述第二升降销与上述载置台本体为相 同电位。另外，在上述第二方面中，优选还包括独立地控制上述第一 升降销与上述第二升降销的升降的控制部。