[发明专利]基板载置台和基板处理装置有效
申请号: | 200910253446.4 | 申请日: | 2007-03-23 |
公开(公告)号: | CN101707186A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 天野健次;田中善嗣 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板载置台 处理 装置 | ||
1.一种基板载置台,其为在对基板进行等离子体处理的等离子体处 理装置的处理容器内载置基板的基板载置台,其特征在于,
所述基板载置台通过由绝缘部件构成的隔板而配置在处理容器内, 使得在所述基板载置台与所述处理容器的底壁之间形成空间,使所述空 间为大气气氛,
所述基板载置台由贯通所述空间的螺栓固定在所述处理容器的底 壁上。
2.如权利要求1所述的基板载置台,其特征在于,
通过使所述空间为大气气氛,使所述基板载置台与所述处理容器的 底壁之间呈大气绝缘,在所述基板载置台上施加高频电力。
3.如权利要求1所述的基板载置台,其特征在于,
所述隔板与所述底壁之间,以及所述隔板与所述基板载置台之间, 气密地密封。
4.如权利要求3所述的基板载置台,其特征在于,
所述隔板配置在所述基板载置台的下侧周边部。
5.如权利要求1所述的基板载置台,其特征在于,
在所述底壁中,埋设有多个绝缘部件,所述螺栓插入铅垂地设置在 所述多个绝缘部件的中心的贯通孔中。
6.一种基板处理装置,其为对基板进行等离子体处理的基板处理装 置,其包括:
收容基板的处理容器;
向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构;
对所述处理容器内进行排气的排气机构;和
在所述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构, 其特征在于,
所述处理容器具有权利要求1~5中任一项所述的基板载置台。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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