[发明专利]半导体工艺生产流程中的测量数据的监测方法和装置

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造领域，尤其涉及一种半导体工艺生产流程中的测量数据的监测方法和装置。

背景技术

半导体工艺生产流程中的测量数据是反映前一个制程工艺结果的直接参数，例如涨膜的厚度及均匀度、沟槽(trench)的深度等。前一个晶圆加工工序的机台出现问题会导致晶圆的良率下降，产生测量数据的异常波动。为了保证工艺的稳定，减少生产线上发生异常的情况，必须有效地监控测量数据。

传统的线上监控系统为用户提供了单点或者连续几点的监控功能，所谓点是指一个测量数据点。线上监控系统只能供用户选择一个参数进行监控，不提供任何自动分析功能。并且线上监控系统不允许一次取出过大的数据，例如不允许一次取出一个月的测量数据，而只允许一次取出一周的测量数据。一次允许取出的最大数据大小由线上监控系统的性能决定，即，由于从线上监控系统取数据会影响线上监控系统本身的工作性能，一次取数据刚好会导致线上监控系统工作瘫痪的数据量就是该线上监控系统一次允许取出的最大数据量。如果需要进行测量数据的长期趋势分析，只能人工分批将所需数据分部分依次取出，效率低下，无法实现对测量数据的自动监控。另外，现有对测量数据的监控通常只有在发生问题后工程师才会去查看发生问题的测量数据，等到看到测量数据时，损失已经造成。综上，现有的线上监控系统无法实现对测量数据的自动监控，效率低下，并且无法预先发现异常的测量数据。

美国第US7,099,729号专利公开了一种半导体制造过程及合格率分析综合实时管理方法，该方法在半导体制造过程中以多个项目检测多个半导体产品，以产生及纪录多个检测结果，并以一预设规则将半导体产品分成多个种类，产生一初始数据以纪录于一数据库中，依一预设产品规则及参数来索引多个半导体产品种类及数据库中相关的初始数据，以计算一相关分析结果，并依照索引的半导体产品种类及初始数据来显示分析结果。该专利的技术方案中仅仅提供了如何将检测结果以带有索引的方式存储在数据库中，在进行分析时可以灵活的查询数据，并未提出预先发现异常的测量数据的方法。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体工艺生产过程中的测量数据的监测方法和装置，该方法和装置能够对晶圆的性能参数的测量数据进行自动监控，并且能够自动发现发生异常的性能参数。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种半导体工艺生产过程中测量数据的监测方法，包括：

从实时系统中定期更新晶圆性能参数的测量数据至分析数据库中；

根据预先设定的待分析性能参数信息和选用的分析规则信息，依照选用的分析规则对测量数据覆盖的时间范围的需求，从分析数据库中取出满足分析规则需求的时间范围内的待分析性能参数的测量数据；

判断从分析数据库中取出的性能参数的测量数据是否违反了所述选用的分析规则的控制范围，如果违反，则针对该违反选用分析规则的控制范围的性能参数发送告警信息。

另一方面，本发明实施例还提供一种半导体工艺生产过程中测量数据的监测装置，包括：

更新单元，用于从实时系统中定期更新晶圆性能参数测量数据至分析数据库中；

读取单元，用于根据预先设定的待分析性能参数信息和选用的分析规则信息，依照选用的分析规则对测量数据覆盖的时间范围的需求，从分析数据库中取出满足分析规则需求的时间范围内的待分析性能参数的测量数据；

判断单元，用于判断从分析数据库中取出的性能参数的测量数据是否违反了所述选用的分析规则的控制范围；

告警信息发送单元，用于当所述判断单元的判断结果为是时，针对该违反选用分析规则的控制范围的性能参数发送告警信息。

通过本发明实施例提供的方法和装置可以对晶圆的性能参数的测量数据进行自动监控，并主动判断性能参数的测量数据是否违反预先选用的分析规则的控制范围，如果判断违反了控制范围，则主动发现该性能参数产生异常，相对于现有技术中工程师只能等到晶圆实际发生问题后才会去查看问题数据，本发明实施例通过预先设定的规则对性能参数的测量数据进行主动的监控，能够预先发现出现异常的性能参数数据。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种半导体工艺生产流程中的测量数据的监测方法的流程图；