[发明专利]半导体工艺生产流程中的测量数据的监测方法和装置

权利要求书

1.一种半导体工艺生产过程中测量数据的监测方法，其特征在于，包括：

从实时系统中定期更新晶圆性能参数的测量数据至分析数据库中；

根据预先设定的待分析性能参数信息和选用的分析规则信息，依照选用的分析规则对测量数据覆盖的时间范围的需求，从分析数据库中取出满足分析规则需求的时间范围内的待分析性能参数的测量数据；

判断从分析数据库中取出的性能参数的测量数据是否违反了所述选用的分析规则的控制范围，如果违反，则针对该违反选用分析规则的控制范围的性能参数发送告警信息。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分析规则的控制范围是预先设定的。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述判断是否违反分析规则的控制范围包括：

当测量数据值超过预先设定的控制范围的测量数据点的个数超过预定的个数时，判定违反分析规则的控制范围。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述判断是否违反规则包括：将取出的性能参数的测量数据做曲线拟合，将测量数据值与曲线拟合所得的相应值相减得到的差值做线性回归，当判断线性回归的拟合程度小于预定的阈值时，判定违反分析规则的控制范围。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在对取出的性能参数的测量数据做曲线拟合前，先去掉cook距离超过第二阈值的测量数据点。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，性能参数的一个测量数据的cook距离为去掉该测量数据后的拟合方程与该测量数据实际值之间的距离。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述判断是否违反分析规则的控制范围包括：判断是否连续预定个数的测量数据点逐渐上升，如果是，则违反分析规则的控制范围。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述判断是否违反分析规则的控制范围包括：判断是否连续预定个数的测量数据点逐渐下降，如果是，则违反分析规则的控制范围。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述判断是否违反分析规则的控制范围包括：根据取出的的性能参数测量数据计算工艺能力指数，当计算得到的工艺能力指数小于第一阈值，并且所述性能参数测量数据的工艺能力指数下降趋势程度超过预定程度；所述性能参数测量数据的工艺能力指数下降趋势程度为：在所述预定时间段内的最后时间段内的该性能参数的测量数据的工艺能力指数减去该预定时间段内的最早时间段内的该性能参数的测量数据的工艺能力指数，将所得差除以所述最早时间段内的该性能参数的测量数据的工艺能力指数得到的商作为工艺能力指数下降趋势程度；所述最后时间段的长度小于最早时间段的长度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分析规则的控制范围是根据晶圆性能参数的测量数据实时计算确定的。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述判断是否违反分析规则的控制范围包括：将取出的晶圆性能参数的测量数据点按照获取时间顺序进行排序，根据最早时间段内的性能参数的测量数据计算控制范围，取出最晚时间段内的性能参数的测量数据，并按时间顺序排在最晚时间段内中间位置的测量数据值与所述计算的控制范围相比较，如果超过所述控制范围，则判定违反了分析规则的控制范围。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述判断是否违反分析规则的控制范围包括：对取出的性能参数的测量数据进行线性回归，根据线性回归的结果得到所述测量数据的变化趋势，当测量数据的变化趋势向上或向下，并且朝向远离目标值的方向时，判定违反第一规则；

将取出的测量数据点按照获取时间顺序进行排列，取出最早时间段内的性能参数的测量数据计算控制范围，取出最晚时间段内的性能参数的测量数据，并按时间顺序排在最晚时间段内中间位置的测量数据值与所述计算的控制范围相比较，如果超过所述控制范围，判定违反第二规则；

如果同时违反第一规则和第二规则，则判定测量数据违反分析规则的控制范围。

13.根据权利要求1至12中任意一项所述的方法，其特征在于，所述实时系统中还包括与晶圆性能参数的测量数据对应的机台标识数据，更新晶圆性能参数测量数据至分析数据库中包括：将晶圆性能参数的测量数据及其对应的机台标识数据一并更新至分析数据库中。