[发明专利]一种倒装式封装结构及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及芯片封装领域，尤其涉及一种倒装式封装结构及其封装方法。

【背景技术】

随着半导体集成电路的集成度越来越高，工作速度越来越快，对芯片封装结构的散热要求也越来越苛刻。尤其是对于功率器件而言，由于需要工作在高电压、高电流或者高频环境下，因此对芯片封装结构的绝缘特性要求非常严格，而且功率器件的芯片体积自身通常就很大，从而导致功率器件经过现有技术封装之后所获得的封装结构体积庞大。而由于功率器件的发热量很大，过于庞大的封装体反而不利于功率器件在封装过程中向外散热。

因此，现有技术的缺点在于，对于工作在高电压、高电流或者高频环境下的特殊器件，如何保证芯片在工作中能够向环境中散发热量仍然是一个亟待解决的问题。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是，提供一种倒装式封装结构及其封装方法，所获得的封装体厚度很薄，能够满足芯片散热的需求。

为了解决上述问题，本发明提供了一种倒装式封装结构，包括：一引线框架，具有多个引脚；一芯片，置于引线框架上，所述芯片具有一正面和一背面，所述正面具有多个用于电学连接至引线框架对应引脚的焊盘(PAD)，所述芯片的正面朝向引线框架；多个导电凸块，设置于芯片与引线框架之间，电学连接芯片的焊盘与引线框架的引脚；一塑封体，所述塑封体设置在引线框架设置有芯片的表面，包裹芯片的正面以及导电凸块。

作为可选的技术方案，所述芯片的背面暴露在塑封体之外。

作为可选的技术方案，所述芯片的背面暴亦被塑封体所包裹。

作为可选的技术方案，所述引线框架多个引脚之间亦具有塑封体，被塑封体包裹的所述引脚的侧面具有凸起结构，以增加引脚在塑封体中的牢固程度。

作为可选的技术方案，所述导电凸块为金属球，所述金属球的材料选自于铜、锡和金中的一种或多种。

本发明进一步提供了上述结构的制作方法，包括如下步骤：提供一芯片，所述芯片具有一正面和一背面，所述正面具有多个用于电学连接至引线框架对应引脚的焊盘；在所述芯片的正面形成多个导电凸块，每个焊盘的表面至少形成有一个导电凸块；提供一引线框架，所述引线框架具有多个引脚；通过将芯片正面的导电凸块焊接至所述引线框架对应引脚，使芯片贴合在引线框架的表面；采用绝缘胶对贴合在引线框架表面的芯片实施注塑。

作为可选的技术方案，所述芯片系存在于一完整的晶圆中，所述方法进一步包括一切割的步骤，使所述芯片从所述晶圆中分离出来；所述切割的步骤在形成导电凸块的步骤之前实施，或者在形成导电凸块的步骤之后，并且在将芯片与导电框架贴合的步骤之前实施。

作为可选的技术方案，所述注塑的步骤中，模具腔体与芯片的背面相贴合。

作为可选的技术方案，所述注塑的步骤中，模具腔体与芯片的背面之间留有空隙。

作为可选的技术方案，所述注塑的步骤中，所述注塑的步骤中，绝缘胶亦填充至引线框架的多个管脚之间的缝隙。

作为可选的技术方案，所述导电凸块为金属球，所述金属球的材料选自于铜、锡和金中的一种或多种。

本发明的优点在于：

1、通过采用将导电凸块直接键合到引线框架上的方法，所获得的封装体较现有技术而言更薄，有利于芯片工作过程中向环境散发热量，并且本发明进一步将现有技术中的焊接和打线两个步骤整合为一个步骤，缩短了工艺周期；

2、采用导电凸块同引线框架直接键合的方法代替了采用金属线例如金线将两者电学连接起来的方法，因此能够降低引线框架和芯片之间的封装电阻；

3、采用凸块代替金属线，缩短了芯片和引线框之间的引线距离，避免了引线之间的漏电和串扰以及外界电磁辐射对芯片工作的影响，因此尤其适用于对高频器件进行封装。

进一步地，在一优选的技术方案中，芯片的背面裸露在塑封体之外，即热源的直接与空气接触，能够提高封装体的散热性，降低了封装热阻。对于功率器件而言，此种封装体更轻，更薄，符合封装体小，轻，薄得发展趋势。

【附图说明】

附图1所示是本发明提供的一种倒装式封装结构及其封装方法的具体实施方式中所述制造方法的实施步骤示意图；

附图2至附图8是附图1所述制造方法对应的工艺示意图；

附图9是本发明提供的一种倒装式封装结构及其封装方法的具体实施方式中所述封装结构的结构示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图对本发明提供的一种倒装式封装结构及其封装方法的具体实施方式做详细说明。