[发明专利]集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路的制造方法，其特征在于，该集成电路包含一基材，该集成电路的制造方法包含：

形成一硬掩膜层于该基材上；

形成该硬掩膜层的多个被保护的部分和多个未被保护的部分；

进行一第一蚀刻制程、一第二蚀刻制程和一第三蚀刻制程于该硬掩膜层的该些未被保护的部分上，其中该第一蚀刻制程部分地去除该硬掩膜层的该些未被保护的部分，该第二蚀刻制程处理该硬掩膜层的该些未被保护的部分，该第三蚀刻制程去除该硬掩膜层的其余该些未被保护的部分；以及

进行一第四蚀刻制程，以去除该硬掩膜层的该些被保护的部分。

2.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该形成该硬掩膜层的该些被保护的部分和该些未被保护的部分的步骤包含：

形成一光阻层于该硬掩膜层上；以及

图案化该硬掩膜层上的该光阻层，以包含有一第一部分和一第二部分，其中该第二部分保护该硬掩膜层上的多个部分，以免受到后续制程的处理。

3.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该硬掩膜层包含旋涂玻璃。

4.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该进行该第一蚀刻制程和该进行该第二蚀刻制程的步骤其中至少一个包含：进行一干式蚀刻制程；

该进行该第三蚀刻制程或该进行该第四蚀刻制程的步骤包含：进行一湿式蚀刻制程。

5.根据权利要求4所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该进行该湿式蚀刻制程包含：

使用一氢氟酸溶液。

6.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该进行该第二蚀刻制程的步骤包含：

使用一氧等离子处理、一硫酸与过氧化氢溶液、或臭氧与去离子水。

7.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该进行该第一蚀刻制程以部分地去除该硬掩膜层的该些未被保护的部分的步骤包含：

提供一厚度至该硬掩膜层的其余该些未被保护的部分，其中该厚度介于100埃至500埃之间。

8.一种集成电路的制造方法，其特征在于，该集成电路包含一基材，该集成电路的制造方法包含：

形成一组第一栅极结构和一组第二栅极结构于该基材上，其中该组第一栅极结构包含一界面层、一高介电常数层、一导电层和一硬掩膜层；

形成该硬掩膜层的多个被保护的部分和多个未被保护的部分；

使用一第一干式蚀刻制程来自该组第一栅极结构中部分地去除该硬掩膜层；

使用一第二干式蚀刻制程来处理该组第一栅极结构中的该硬掩膜层的一剩余部分；

使用一第一湿式蚀刻制程来去除该组第一栅极结构中的该硬掩膜层的该剩余部分；以及

使用一第二湿式蚀刻制程来自该组第二栅极结构中去除该硬掩膜层。

9.根据权利要求8所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该处理该组第一栅极结构中的该硬掩膜层的该剩余部分的步骤包含：

使用氧气、硫酸与过氧化氢溶液、臭氧与去离子水、过氧化氢和/或其混合物。

10.根据权利要求8所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该进行该第一湿式蚀刻制程湿式蚀刻制程或该第二湿式蚀刻制程包含：

使用一氢氟酸溶液。

11.根据权利要求8所述的集成电路的制造方法，其特征在于，还包含：

在自该组第二栅极结构中去除该硬掩膜层之前，自该组第一栅极结构中去除该第一导电层，及为了该组第一栅极结构形成一第二导电层。

12.根据权利要求11所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该自该组第一栅极结构中去除该第一导电层的步骤包含：

使用氢氧化铵与过氧化氢溶液、和/或氨与过氧化氢溶液。