[发明专利]一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法

权利要求书

1.一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，该方法基于P阱CMOS制作工艺，其特征在于：在准备好用于制作铝栅CMOS的N型衬底基片后，先在基片上进行N型离子注入，增加衬底表面浓度，然后再进行后续的铝栅CMOS制作工艺步骤。

2.如权利要求1所述的改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，其特征在于：所述的后续的铝栅CMOS制作工艺具体包括如下步骤：

(1)对N型离子注入后的基片进行P阱涂胶处理；

(2)对涂胶后的基片进行P阱曝光；

(3)对曝光后的基片进行P阱显影；

(4)对显影后的基片进行P阱刻蚀；

(5)对刻蚀后的基片进行P阱离子注入；

(6)进行去胶处理；

(7)利用高温进行推阱，在衬底上形成N阱和P阱；

(8)在N阱上制作PMOS晶体管，在P阱上制作NMOS晶体管。

3.如权利要求1或2所述的改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，其特征在于：所述的N型离子注入采用P-离子。

4.如权利要求3所述的改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，其特征在于：所述的N型离子注入的能量范围为100Kev至160Kev。

5.如权利要求4所述的改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，其特征在于：所述的N型离子注入的剂量范围为2E11cm^-2至4E11cm^-2。

6.如权利要求2所述的改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，其特征在于：在后续的铝栅CMOS制作工艺的步骤(5)中，P阱离子注入采用B+离子。

7.如权利要求6所述的改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，其特征在于：在后续的铝栅CMOS制作工艺的步骤(5)中，P阱离子注入的能量范围为100Kev至160Kev。

8.如权利要求7所述的改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，其特征在于：在后续的铝栅CMOS制作工艺的步骤(5)中，P阱离子注入的剂量范围为2E12cm^-2至8E12cm^-2。

9.如权利要求2所述的改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，其特征在于：在后续的铝栅CMOS制作工艺的步骤(7)中，高温推阱的温度范围为1000℃至1200℃。

10.如权利要求9所述的改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，其特征在于：在后续的铝栅CMOS制作工艺的步骤(7)中，高温推阱时间为10小时至15小时。