[发明专利]取向层及其制备方法、包括该取向层的液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 200910243924.3 申请日: 2009-12-25
公开(公告)号: CN102109714A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 周伟峰;郭建;明星 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 取向 及其 制备 方法 包括 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种取向层制备方法,其特征在于,包括:

在基板上涂覆光敏性树脂材料层;

采用掩模板对所述光敏性树脂材料层进行曝光、显影,在所述基板上形成分布有若干取向槽的取向层;

对所述取向层进行固化。

2.根据权利要求1所述的取向层制备方法,其特征在于,所述光敏性树脂材料为聚酰亚胺基的光敏性树脂材料。

3.根据权利要求1所述的取向层制备方法,其特征在于,还包括:对所述光敏性树脂材料层进行去染色。

4.根据权利要求1所述的取向层制备方法,其特征在于,所述掩模板上的像素区内设置有用于制备取向槽的取向槽制备图形模块,所述取向槽制备图形模块包括多个挡光图形和多个镂空图形;

所述多个挡光图形从所述掩模板的第一侧至第二侧的覆盖面积的密度逐渐降低,所述多个镂空图形从第一侧至第二侧的覆盖面积的密度逐渐增高,且所述挡光图形和多个镂空图形为相间设置,以使所述取向槽制备图形模块从第一侧至第二侧的光线透过率逐渐降低。

5.根据权利要求4所述的取向层制备方法,其特征在于,所述挡光图形为半透膜图形,多个所述半透膜图形的宽度从所述第一侧至第二侧逐渐减小,所述多个镂空图形的宽度从所述第一侧至第二侧逐渐增加。

6.根据权利要求4所述的取向层制备方法,其特征在于,所述挡光图形为全黑图形,多个所述全黑图形的设置密度从所述第一侧至第二侧逐渐减小,所述多个镂空图形的设置宽度从所述第一侧至第二侧逐渐增加。

7.根据权利要求1所述的取向层制备方法,其特征在于,所述掩模板上的像素区内设置有用于制备取向槽的取向槽制备图形模块,所述取向槽制备图形模块包括多个透光区域,从所述掩模板的第一侧至第二侧,所述多个透光区域的透过率逐渐增高。

8.根据权利要求4~7任一所述的取向层制备方法,其特征在于,所述在基板上涂覆光敏性树脂材料层具体为:

在水平电场型TFT LCD的阵列基板上沉积钝化层,所述钝化层位于第一层电极和第二层电极之间,且所述钝化层的材料为光敏性树脂材料。

9.根据权利要求8所述的取向层制备方法,其特征在于,所述掩模板的显示区内还设置有对应于所述钝化层上的过孔的镂空区域。

10.一种采用权利要求1~9任一所述的取向层制备方法制备的取向层,其特征在于,所述取向层上分布有若干取向槽。

11.一种包括权利要求10所述的取向层的液晶显示装置,其特征在于,包括阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板和彩膜基板之间分布有液晶分子,所述取向层与所述液晶分子相接触,用于为所述液晶分子提供预倾角。

12.根据权利要求11所述的液晶显示装置,其特征在于,所述阵列基板包括第一层电极、位于所述第一层电极之上的第二层电极,以及,位于所述第一层电极和第二层电极之间的钝化层,所述钝化层兼做所述取向层;

所述钝化层上设置有过孔和取向槽,所述过孔用于将所述第二层电极与所述阵列基板上的漏电极连接;所述取向槽用于为所述液晶分子提供预倾角。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910243924.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top