[发明专利]晶圆表面脱液处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆表面脱液处理装置，特别是一种半导体晶圆表面高速离心脱液、除杂质的处理装置。

背景技术

在半导体工业的生产加工中，晶圆在存储、装载和卸载的过程中，以及每一处理步骤后，通常都会在晶圆表面留下污染物，如颗粒物，金属离子，有机物等。不同的污染物需要采用不同的清洗方法。而在每一步的清洗后都需要充分去掉粘附在晶圆表面的液体和附着物，以免在下一步的工艺中产生新的反应和污染。在集成电路元件的工艺中，最频繁的工艺步骤就是晶圆洗净。晶圆洗净的目的乃是为了去除附着于晶圆表面上的有机化合物、金属杂质或微粒。而这些污染物会对于产品后续工艺的影响非常大。

在传统的半导体工艺中，为了去掉晶圆表面的液体，往往采用高压惰性气体将其吹走，例如氮气枪等，这样做不仅费时费力，不易于大批量生产；而且不能保证充分将晶圆表面液体完全去掉，同时也可能引入一些新的杂质，对下一步的工艺产生影响，对器件的最终性能带来不可预知的问题。也有一些方法是对晶圆进行脱水烘焙，去除晶圆在清洗过程中可能吸收的任何水分。但是这种方法容易在晶圆的表面上出现水痕的现象。而水痕的生成易造成器件合格率与电性能不佳等问题。而且，空气中的氧也很容易和去离子水在晶圆表面形成弱酸，而影响器件的性能。因此，如何防止晶圆表面产生水痕，以及防止空气中的氧和去离子水在晶圆表面形成弱酸是很重要的。清洗过程中使用的一些高浓度的化学试剂在一定的高温下进行，颗粒、金属以及化学试剂沾污不可避免地会有一些残留在晶圆片表面，这都会对半导体器件的可靠性和产品性能产生不利影响。因此，一种简单可行的去除晶圆表面液体和附着物的方法是非常重要的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆表面高速离心脱液、除杂质的处理装置，它能将晶圆表面的任何液体和一些吸附颗粒杂质在高速离心作用下迅速甩掉，同时对晶圆不产生任何新的杂质，对晶圆没有任何机械损伤，而且该装置耐酸耐碱，不易腐蚀，清洗方便。

为实现上述目的，本发明提供一种晶圆表面脱液处理装置，其特征在于，其中包括：

一卡口部，为空心柱体，其一端沿柱体的中心横向开有一贯通的矩形凹槽，该卡口部用于与其他高速离心旋转装置接合；

一晶圆托，为盘状，一面为凸起部，另一面为凹部，该晶圆托的凸起部的中心与卡口部的未开有矩形凹槽的一端固接，该晶圆托用于放置晶圆。

其中所述固接后的卡口部与晶圆托的中心开有一贯通的漏液孔，该漏液孔用于初始液体的漏掉。

其中所述晶圆托的外径的边缘形成有一阻挡环，该阻挡环高于晶圆托的表面，该阻挡环用于旋转时挡住晶圆，防止晶圆飞出。

其中该阻挡环沿轴心的放射方向开有多个脱液孔，用于旋转时液体的甩掉。

其中漏液孔的直径为2-4mm。

其中阻挡环上脱液孔的数量为24-30个。

其中脱液孔的直径为2-2.5mm。

其中所述的卡口部与晶圆托用聚四氟乙烯材料制成。

其中所述的卡口部与晶圆托为一体结构。

附图说明

以下结合附图及实施例对本发明作一详细描述，以便进一步说明本发明的结构、特点和技术内容，其中：

图1为本发明一种晶圆表面脱液处理装置的正视图。

图2为本发明一种晶圆表面脱液处理装置的立体示意图。

具体实施方式

请参阅图1和图2所示，本发明一种晶圆表面脱液处理装置包括：

一卡口部1，该卡口部1为空心柱体，外高为20mm，内深16mm；外径为24mm，内径为16mm，壁厚4mm。并在其一端沿柱体的中心横向开有一贯通的矩形凹槽11，该凹槽11的槽宽3mm，深6mm。该卡口部1主要用于与其他高速离心旋转装置对接，使该脱液装置能与离心装置紧密接合，因此可根据不同的离心旋转装置接口来改变该卡口部1的形状和尺寸；

一晶圆托2，为盘状，一面为凸起部，另一面为凹部，该晶圆托2的凸起部的中心与卡口部1的未开有矩形凹槽11的一端固接，该晶圆托2用于放置晶圆；其中所述晶圆托2的外径的边缘形成有一阻挡环4，该阻挡环4高于晶圆托2的表面，该阻挡环4用于旋转时挡住晶圆，防止晶圆飞出，同时对晶圆没有任何损伤，而且便于晶圆表面的液体往下滑落。

该晶圆托2的直径为66.4mm，该晶圆托2的壁厚为3.3mm，该晶圆托2上部口径大小根据晶圆的直径大小可以改变，以适应不同大小晶圆。