[发明专利]晶圆表面脱液处理装置无效
| 申请号: | 200910242752.8 | 申请日: | 2009-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN101740354A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
| 发明(设计)人: | 马骁宇;刘素平;李全宁;熊聪;张海艳;罗泓;冯小明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
| 地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 处理 装置 | ||
1.一种晶圆表面脱液处理装置,其特征在于,其中包括:
一卡口部,为空心柱体,其一端沿柱体的中心横向开有一贯通的矩形凹槽,该卡口部用于与高速离心旋转装置接合;
一晶圆托,为盘状,一面为凸起部,另一面为凹部,该晶圆托的凸起部的中心与卡口部的未开有矩形凹槽的一端固接,该晶圆托用于放置晶圆,固接后的卡口部与晶圆托的中心开有一贯通的漏液孔,该漏液孔用于初始液体的漏掉,该晶圆托的外径的边缘形成有一阻挡环,该阻挡环高于晶圆托的表面,该阻挡环用于旋转时挡住晶圆,防止晶圆飞出,该阻挡环沿轴心的放射方向开有多个脱液孔,用于旋转时液体的甩掉。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面脱液处理装置,其中漏液孔的直径为2-4mm。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面脱液处理装置,其中阻挡环上脱液孔的数量为24-30个。
4.根据权利要求3所述的晶圆表面脱液处理装置,其中脱液孔的直径为2-2.5mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆表面脱液处理装置,其中所述的卡口部与晶圆托用聚四氟乙烯材料制成。
6.根据权利要求5所述的晶圆表面脱液处理装置,其中所述的卡口部与晶圆托为一体结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





