[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

下电极，每个所述下电极包括光反射性第一金属材料层和设置在所述 第一金属材料层上的第二金属材料层，所述第二金属材料层具有比所述第 一金属材料层好的碱性溶液抗耐性；

绝缘图案，所述绝缘图案由光敏成分材料形成，具有开口部分以暴露 所述下电极，并且覆盖所述下电极的外围；

有机层，每个所述有机层至少包括有机发光层，并且所述有机层设置 在所述开口部分中以便覆盖所述下电极；以及

上电极，所述上电极被设置为与所述下电极一起将所述有机层夹在中 间，

其中，所述上电极被形成为具有半透射半反射特性的结构。

2.根据权利要求1所述的显示装置，

其中所述第二金属材料层是将所述有机发光层中产生的光透射至形 成反射表面的所述第一金属材料层的薄膜。

3.根据权利要求2所述的显示装置，

其中所述第二金属材料层具有光透射特性，以使得所述有机发光层中 产生的可见光在所述第一金属材料层上的反射通过所述第二金属材料层 而保持在至少50％。

4.根据权利要求2所述的显示装置，

其中所述第一金属材料层包括铝，并且所述第二金属材料层包括钛。

5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

薄膜晶体管；以及

中间层绝缘膜，其覆盖所述薄膜晶体管，

其中所述下电极设置在所述中间层绝缘膜上，以便通过设置在中间层 绝缘膜中的连接孔而连接到所述薄膜晶体管，并且

所述第一金属材料层和所述第二金属材料层均由能够通过不产生等 离子体的制造方法形成为膜的材料形成。

6.根据权利要求5所述的显示装置，

其中所述第一金属材料层包括铝，并且

所述第二金属材料层包括钛。

7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

薄膜晶体管，其包括有机半导体层并且连接到所述下电极，

其中所述第一金属材料层和所述第二金属材料层均由能够通过不产 生等离子体的制造方法形成为膜的材料形成。

8.根据权利要求7所述的显示装置，

其中使用电阻加热沉积方法作为不产生等离子体的制造方法。

9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

薄膜晶体管，其包括有机半导体层并且连接到所述下电极，

其中所述第一金属材料层包括铝，并且

所述第二金属材料层包括钛。

10.根据权利要求1所述的显示装置，

其中所述第一金属材料层包括铝、银或它们的合金。

11.一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤：

形成下电极，每个所述下电极包括光反射性第一金属材料层和设置在 所述第一金属材料层上的第二金属材料层，所述第二金属材料层具有比所 述第一金属材料层好的碱性溶液抗耐性；

通过光刻法形成绝缘图案，所述绝缘图案具有开口部分以暴露所述下 电极，并且覆盖所述下电极的外围；

在所述开口部分中形成有机层以便覆盖所述下电极，每个所述有机层 至少包括有机发光层；以及

形成上电极，以与所述下电极一起将所述有机层夹在中间，

其中，所述上电极被形成为具有半透射半反射特性的结构。

12.根据权利要求11所述的用于制造显示装置的方法，

其中所述绝缘图案由光敏成分材料通过执行光敏成分材料的曝光、随 后采用碱性溶液执行显影而形成。

13.根据权利要求11所述的用于制造显示装置的方法，还包括以下 步骤：在形成所述下电极之前，

形成薄膜晶体管；以及

形成覆盖所述薄膜晶体管的中间层绝缘膜，

其中所述第一金属材料层和所述第二金属材料层通过不产生等离子 体的制造方法而形成在所述中间层绝缘膜上。