[发明专利]极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造

说明书

技术领域

本发明涉及在切断屏蔽导体时减轻对内部绝缘体的损伤的极细同轴线末端处理方法及末端处理构造。

背景技术

连接笔记本型计算机的主体和液晶显示器的配线或连接医疗用超声波诊断装置的主体和探头的配线等作为传输高频信号·高速信号而且具有大的挠性的电缆有极细同轴线。

极细同轴线是从中心向外侧依次将中心导体、内部绝缘体、屏蔽导体以及套管叠层而成的电缆。极细同轴线与机器直接连接，或者在安装于连接器上时，则要实施使末端部分的中心导体和屏蔽导体露出的末端处理。

利用图5说明按照现有的末端处理方法对多条极细同轴线进行末端处理的顺序。

如图5(a)所示，以所要求的排列间距排列多条极细同轴线1，再用粘结带6固定该排列状态。

如图5(b)所示，在从末端起所要求的距离的处理部位，对粘结带6和极细同轴线1的套管5通过照射激光而切断粘结带6和极细同轴线1的套管5，从该处理部位同时拔出位于末端侧的粘结带6和套管5。由此，从该处理部位到末端使屏蔽导体4露出。并且，所谓切断是指进行切入。

如图5(c)所示，在比上述图5(b)的处理部位更靠近末端的处理部位，通过对屏蔽导体4照射激光而切断屏蔽导体4，将从该处理部位起位于末端侧的屏蔽导体4向末端方向拔出。由此，使从该处理部位到末端的内部绝缘体3露出。

如图5(d)所示，在比上述图5(c)的处理部位更靠近末端的处理部位，通过对内部绝缘体3照射激光而切断内部绝缘体3，将从该处理部位起位于末端侧的内部绝缘体3向末端方向拔出。由此，从该处理部位到末端使中心导体2露出。

通过依次进行以上的工序，屏蔽导体4、内部绝缘体3及中心导体2分别处于露出了所要求的长度的状态。

然而，在现有的末端处理方法中，在对屏蔽导体4照射激光而切断屏蔽导体4时，激光在切断了屏蔽导体4之后达到内部绝缘体3，内部绝缘体3吸收激光的能量，产生内部绝缘体3受到损伤之类的问题。

在专利文献1(日本特开2007-290013号公报)中，采取的措施是改变光轴角度而照射多束激光，对卷绕在内部绝缘体上的全部屏蔽导体均匀地给以激光能量。但是，这种场合，将多条同轴线排列成阵列状时，在切断其中的一条外部导体时，与其相邻的两条同轴线产生遮挡激光光轴的情况，存在电缆阵列间距不能设定得狭窄之类的问题。

在专利文献2(日本特开2007-20342号公报)中，通过使激光的焦点位置相对照射对象向垂直方向偏移来降低对内部绝缘体的热影响。即使使激光的焦点位置向垂直方向偏移，相对于极细同轴线的直径，一般的加工用激光的焦点深度都相当大，在实际效果上，通过小于极细同轴线的直径的程度的焦点位置的偏移来降低热影响的效果很小，仍无法避免热影响。

发明内容

因此，本发明的目的在于解决上述问题，提供一种在切断屏蔽导体时减轻对内部绝缘体的损伤的极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造。

为了达到上述目的，本发明的极细同轴线的末端处理方法，在从中心向外侧依次具有中心导体、内部绝缘体、屏蔽导体及套管，上述屏蔽导体由导线构成并通过螺旋卷绕或编织卷绕的任何一种而形成的极细同轴线的末端处理方法中，包含以下各步骤：切断上述套管而使上述屏蔽导体露出的步骤；在上述极细同轴线的长度方向的多个部位切断上述已露出的屏蔽导体的圆周方向的一部分的步骤；以及从距末端最远的末端处理部位拔出末端侧的套管及屏蔽导体而使内部绝缘体露出的步骤。

另外，优选的方法为，相对于上述屏蔽导体的螺旋卷绕或编织卷绕间距以1/(2×n)(n为整数且n≥2)的间距从上述极细同轴线的两面进行上述屏蔽导体的切断。

再有，优选的方法为，相对于上述屏蔽导体的螺旋卷绕或编织卷绕间距以1/m(m为整数且m≥2)的间距从上述极细同轴线的单面进行上述屏蔽导体的切断。

本发明的末端处理构造采用上述任何一种方法加工而成。

本发明具有如下效果。

根据本发明，在极细同轴线的末端加工中，尤其是在对阵列化的多条极细同轴线的末端一起进行加工时，能够降低起因于加工工序对内部绝缘体的损伤，并提高生产率和可靠性。

附图说明

图1(a)～图1(h)是表示利用本发明的极细同轴线的末端处理方法对多条极细同轴线的进行末端处理的顺序的俯视图。

图2(a)～图2(c)是表示图1(b)～图1(c)的屏蔽导体的切断原理的图。

图3是剥离极细同轴线的套管而使屏蔽导体露出的局部剖视图。