[发明专利]极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造有效
申请号: | 200910221847.1 | 申请日: | 2009-11-18 |
公开(公告)号: | CN101882747A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 田中康太郎 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
主分类号: | H01R43/28 | 分类号: | H01R43/28;H02G1/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同轴线 末端 处理 方法 构造 | ||
1.一种极细同轴线的末端处理方法,其是在从中心向外侧依次具有中心导体、内部绝缘体、屏蔽导体、套管,上述屏蔽导体由螺旋卷绕的导线或者编织卷绕的导体构成的极细同轴线的末端处理方法中,其特征在于,包含以下各步骤:
切断上述套管而使上述屏蔽导体露出的步骤;
在上述极细同轴线的长度方向的多个部位切断上述已露出的屏蔽导体的圆周方向的一部分的步骤;以及
从距末端最远的末端处理部位拔出末端侧的套管及屏蔽导体而使内部绝缘体露出的步骤。
2.根据权利要求1所述的极细同轴线的末端处理方法,其特征在于,
相对于上述屏蔽导体的螺旋卷绕或编织卷绕间距以1/(2×n)的间距从上述极细同轴线的两面进行上述屏蔽导体的切断,其中n为整数且n≥2。
3.根据权利要求1所述的极细同轴线末端处理方法,其特征在于,
相对于上述屏蔽导体的螺旋卷绕或编织卷绕间距以1/m的间距从上述极细同轴线的单面进行上述屏蔽导体的切断,其中m为整数且m≥2。
4.一种末端处理构造,其特征在于,
使用权利要求1~3中任何一项所述的方法加工而成。
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