[发明专利]一种氮化铬钛铝氮梯度硬质反应膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910220272.1 申请日: 2009-11-30
公开(公告)号: CN101705471A 公开(公告)日: 2010-05-12
发明(设计)人: 张钧;吕会敏;崔贯英;井治;贾恒;娄军;姚正辉 申请(专利权)人: 沈阳大学
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58;C23C14/54
代理公司: 沈阳东大专利代理有限公司 21109 代理人: 戚羽
地址: 110044 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 铬钛铝氮 梯度 硬质 反应 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氮化铬钛铝氮梯度硬质反应膜的制备方法,其特征是:以下使用CrTiAlN来代替氮化铬钛铝,一种氮化铬钛铝氮梯度硬质反应膜的制备方法依次包括:

(1)、沉积技术及靶材成分的确定:确定多弧离子镀作为CrTiAlN氮梯度硬质反应膜的制备技术,选用两个不同方位且成90度配置的弧源同时起弧沉积,其中一个弧源为纯度99.99%的铬靶,另一个弧源为纯度99.99%的钛铝合金靶,钛铝合金靶的原子比为Ti∶Al=50∶50;

(2)、工件的选择与前处理:选择商用硬质合金作为工件材料,在放入镀膜室进行镀膜前,使用金属洗涤剂对工件进行常规去油、去污处理并进行表面抛光处理,最后分别用丙酮和乙醇进行超声波清洗,电吹风吹干以备用;

(3)、预轰击工艺的确定:指为获得多弧离子镀CrTiAlN氮梯度硬质反应膜而在沉积之前进行的离子轰击工艺,当镀膜室背底真空达到10-3帕、温度达到240℃时充入反应气体氩气,使镀膜室真空度达到≤1.8×10-1帕,开启两弧源,保持弧电流在55~56安培,进行离子轰击10~12分钟,轰击偏压从350伏逐渐增加到400伏;

(4)、沉积工艺的确定:指为获得多弧离子镀技术制备CrTiAlN氮梯度硬质反应膜而采用的沉积工艺,镀膜过程分为七个阶段,第一步,将镀膜室内的氩气压强保持在2.0×10-1帕,钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为150~250伏,沉积时间5分钟;第二步,向镀膜室内通入氮气,使其分压强达到0.5×10-1帕,然后调整氩气流量,使混合气体总压强保持在2.0×10-1帕,钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为150~250伏,沉积时间10分钟;第三步,增大氮气流量,使其分压强达到1.0×10-1帕,然后调整氩气流量,使混合气体总压强保持在2.0×10-1帕,钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为150~250伏,沉积时间15分钟;第四步,继续增大氮气流量,使其分压强达到1.5×10-1帕,然后调整氩气流量,使混合气体总压强保持在2.0×10-1帕,钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为150~250伏,沉积时间15分钟;第五步,关闭氩气入口,使氩气流量为0,氩气分压为0,并继续增加氮气流量,使其压强达到2.0×10-1帕,钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为150~250伏,沉积时间15分钟;第六步,继续增加氮气流量,使其压强达到2.5×10-1帕,钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为150~250伏,沉积时间15分钟;第七步,继续增加氮气流量,使其压强达到3.0×10-1帕,钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为150~250伏,沉积时间15分钟;

(5)、真空加热处理:包括工件加热和膜层烘烤,工件加热方式采用电热体烘烤加热,在工件加热时,升温速度保持在3~5℃/分钟,一小时后达到240℃;膜层烘烤是指沉积过程结束后对所沉积的CrTiAlN氮梯度硬质反应膜进行后加热烘烤,采用小电流进行微加热10~15分钟,电流逐渐从50安培降低到30安培;

(6)、工件旋转:在工件加热、离子轰击、膜层沉积、膜层烘烤的整个过程中一直保持工件旋转,转速为4~6转/分钟。

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