[发明专利]氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910218125.0 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101845651A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张明喆;李咚咚 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D7/12;C01G11/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远;刘玉凡 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 有序 结构 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法，
采用去离子水、硝酸镉配置电解液，使Cd2+浓度在0.002～0.100mol/L之间，用硝酸调节电解液的pH值至1.0～3.0；
采用表面氧化处理的硅片作为基底，将两片镉箔电极平行的放在水平放置的基底上，在两电极间倒入电解液，在电极上罩上盖玻片，组成半封闭的电解池，放入温度控制系统；
将温度控制在-2.0～-7.0℃，对电解液进行制冷结冰；放置40～100分钟，在电极上施加稳定的电压，电位在-1.5～-0.4V；以光学显微镜实时观察基底上生成的纳米阵列；最后用去离子水清洗基底，得到氧化镉纳米结构材料。
2.按照权利要求1所述的氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法，其特征在于，所述的电极，高度为20～200um；两电极的间距为5～15mm。
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