[发明专利]快闪存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种快闪存储器件，包括：

在衬底上相邻设置的第一和第二存储栅极；

在所述第一和第二存储栅极之间的浮置多晶硅；

在所述第一和第二存储栅极的各自外侧处的第一和第二选择栅极；

在所述第一存储栅极和所述第一选择栅极之间以及在所述第二存储栅极和所述第二选择栅极之间的氧化物层；

在所述第一和第二选择栅极的外侧的所述衬底中的漏极区；

在所述第一和第二存储栅极之间的所述衬底中的源极区；和

在所述漏极区和所述源极区中的每一个上的金属接触。

2.根据权利要求1所述的快闪存储器件，其中所述氧化物层还设置在所述第一和第二选择栅极与所述衬底之间。

3.根据权利要求1所述的快闪存储器件，其中所述氧化物层用作用于所述第一和第二选择栅极的栅极氧化物层。

4.根据权利要求1所述的快闪存储器件，还包括：在所述第一和第二存储栅极之间的所述衬底中的晕离子注入区和LDD离子注入区。

5.一种制造快闪存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一和第二存储栅极；

在形成有所述第一和第二存储栅极的所述衬底的整个表面上形成第三氧化物层；

在所述第一和第二存储栅极之间形成浮置多晶硅；

在所述第一和第二存储栅极的各自外侧处形成第一和第二选择栅极；

在所述第一和第二选择栅极的外侧的所述衬底中形成漏极区；

在所述第一和第二存储栅极之间的所述衬底中形成源极区；和

在所述漏极区和所述源极区中的每一个上形成金属接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述第一和第二存储栅极之间形成浮置多晶硅包括：

在形成有所述氧化物层的所述衬底的整个表面上形成第二多晶硅层；和

蚀刻所述第二多晶硅层，其中所述第二多晶硅层的蚀刻在所述第一和第二存储栅极的内侧壁处形成所述浮置多晶硅。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述浮置多晶硅的形成以及所述第一和第二选择栅极的形成通过所述第二多晶硅层的蚀刻而同时实现。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二多晶硅层的蚀刻通过自对准方案形成所述浮置多晶硅以及所述第一和第二选择栅极。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：与所述浮置多晶硅的形成以及所述第一和第二选择栅极的形成同时地形成周边栅极多晶硅。

10.根据权利要求5所述的方法，还包括：与用于在所述第一和第二选择栅极的外侧形成所述漏极区的离子注入工艺同时地在周边区中形成晶体管的源极和漏极。