[发明专利]使集成存储器控制器能透明地与有缺陷存储器装置工作

说明书

技术领域

本发明的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地说，涉及用于使得集成存储器控制器能够透明地与有缺陷的存储器装置工作的系统、方法和设备。

背景技术

动态随机存取存储器装置(DRAM)的密度一直在以相当大的速率增长。另外，存储器模块上DRAM的数量(以及计算系统中存储器模块的数量)也一直在以相当大的速率增长。所有这些制造的组件服从相同的统计成品率模式，并且这意味着在DRAM密度增大时，制造的组件中在有缺陷的比特的风险方面存在对应的增大。DRAM的当前成品率大约是90％。带有有缺陷的比特的组件被丢弃，并且如果可能的话作为更低密度芯片出售。另一方面，不断增大的计算机操作系统的存储器封装(footprint)和数据处理需求继续推动计算系统中对更大存储器子系统的需要。在几乎所有段中，存储器子系统成本正变成计算系统的总成本的一个相当大的部分。

发明内容

本发明提供一种集成电路，包括：第一逻辑，在存储器模块的正常操作期间在所述存储器模块上强制实行边际条件，其中所述存储器模块将与所述第一逻辑耦合；以及第二逻辑，补偿在所述存储器模块上强制实行的所述边际条件。

本发明还提供一种方法，包括：初始化计算系统；在存储器模块的正常操作期间在所述存储器模块上强制实行边际条件；以及补偿在所述存储器模块上强制实行的所述边际条件。

本发明还提供一种系统，包括：存储器模块，提供用于计算系统的主存储器的至少一部分；以及集成电路，经存储器互连与所述存储器模块耦合。所述集成电路包括第一逻辑，在所述存储器模块的正常操作期间在所述存储器模块上强制实行边际条件；以及第二逻辑，补偿在所述存储器模块上强制实行的所述边际条件。

附图说明

在附图的图形中，本发明的实施例通过示例方式而不是限制方式来示出，图中，相似的引用数字表示类似的元件。

图1是示出根据本发明的一个实施例实现的计算系统的选定方面的高层框图。

图2是示出在存储器模块上强制实行边际条件和补偿强制实行的边际条件的逻辑的选定方面的框图。

图3是示出根据本发明的一个实施例的用于操作存储器模块的方法的选定方面的流程图。

图4是示出根据本发明的一个实施例、用于补偿在存储器模块上强制实行的边际条件的方法的选定方面的流程图。

具体实施方式

本发明的实施例主要涉及用于使得集成存储器控制器能够透明地与有缺陷的存储器装置工作的系统、方法和设备。在一些实施例中，在存储器模块的正常操作期间在存储器模块上强制实行边际条件。术语“边际条件”指不符合存储器模块的指定(或“正常”)操作条件的条件。存储器模块可响应边际条件而表现出故障，并且补偿机制可减轻故障。

图1是示出根据本发明的一个实施例实现的计算系统的选定方面的高层框图。系统100包括集成电路102、DRAM子系统104和存储器互连106。在备选实施例中，系统100可包括更多元件、更少元件和/或不同元件。

集成电路102包括控制与DRAM子系统104的信息的传送的逻辑。在所示实施例中，集成电路102包括处理器核108和逻辑110。处理器核108可以是广范围的处理器核的任何核，包括通用处理器核、图形处理器核及诸如此类。逻辑110在广义上表示广泛的逻辑阵列，包括例如存储器控制器、非核(uncore)及诸如此类。

在一些实施例中，逻辑110还包括在存储器模块上(或DRAM子系统104的另一元件上)强制实行边际条件的逻辑和补偿强制实行的边际条件的逻辑。术语“边际条件”在广义上指超出(公共的或专有的)规范、标准、协议及诸如此类所定义的正常操作条件的界限的条件。例如，在规范或标准中一般为存储器模块定义关于电压、温度和刷新率的正常操作条件。短语“强制实行边际条件”指在被视为装置的“正常”值的范围之外操作装置(例如，存储器模块)。

在一些实施例中，“强制实行边际条件”指强制实行被视为“正常”的值(例如，如规范、标准或诸如此类所定义的)之外的电压、温度和/或刷新率。例如，在一些实施例中，逻辑110强制实行某个刷新率，其低于为存储器模块112指定的刷新率。强制实行更低刷新率的优点包括在整体系统性能方面的提高，因为系统在刷新中对其存储器花费更少的时间。另外，DRAM子系统104消耗的功率可通过降低刷新率而降低。类似地，在更低电压下操作能产生功率节省。在备选实施例中，逻辑110可在存储器模块112上(和/或DRAM子系统104的任何其它元件和/或互连106上)强制实行不同的边际条件。