[发明专利]具有内屏蔽体的封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910211804.5 申请日: 2009-10-30
公开(公告)号: CN102054821A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 廖国宪;陈建成 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/552;H01L21/50
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 屏蔽 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具有内屏蔽体的封装结构,包括:

一基板,具有一第一表面及一侧面,且包括:

一接地金属层,位于该基板内,且显露于该基板的侧面;及

至少一接地焊垫,位于该基板内,显露于该基板的第一表面,且电性连接至该接地金属层;

数个电子组件,位于该基板的第一表面;

一封胶体,位于该基板的第一表面上,且包覆该等电子组件,该封胶体包括至少一沟槽、一上表面、一下表面及一侧面,该沟槽贯穿该封胶体的上表面及下表面,且位于该等电子组件之间,且该沟槽具有一长边及一短边,该短边与该封胶体的侧面之间具有一间距;

一内屏蔽体,位于该沟槽内,且电性连接至该接地焊垫;及

一遮蔽层,覆盖该封胶体及该基板的侧面,且电性连接该接地金属层及该内屏蔽体。

2.如权利要求1的封装结构,其中该基板更包括一上接地金属区域及一防焊层,该上接地金属区域位于该基板内,且显露于该基板的第一表面,该防焊层位于该基板的第一表面,且具有至少一开口,显露部分该上接地金属区域,以形成该接地焊垫。

3.如权利要求1的封装结构,其中该沟槽的长边为直线或弯曲的线段。

4.如权利要求1的封装结构,其中该内屏蔽体的材质为焊料或导电胶。

5.如权利要求1的封装结构,更包括一抗氧化层,该抗氧化层覆盖该遮蔽层。

6.一种具有内屏蔽体的封装结构,包括:

一基板,具有一第一表面及一侧面,且包括:

一接地金属层,位于该基板内,且显露于该基板的侧面;及

至少一接地焊垫,位于该基板内,显露于该基板的第一表面,且电性连接至该接地金属层;

数个电子组件,位于该基板的第一表面;

一封胶体,位于该基板的第一表面上,且包覆该等电子组件,该封胶体包括至少一沟槽、一上表面、一下表面及一侧面,该沟槽贯穿该封胶体的上表面及下表面,且位于该等电子组件之间;

一内屏蔽体,位于该沟槽内,且电性连接至该接地焊垫;及

一遮蔽层,覆盖该封胶体及该基板的侧面,且电性连接该接地金属层及该内屏蔽体,其中该内屏蔽体的厚度与该遮蔽层的厚度的比值大于25。

7.如权利要求6的封装结构,其中该基板更包括一上接地金属区域及一防焊层,该上接地金属区域位于该基板内,且显露于该基板的第一表面,该防焊层位于该基板的第一表面,且具有至少一开口,显露部分该上接地金属区域,以形成该接地焊垫。

8.如权利要求6的封装结构,其中该内屏蔽体包括数个区段,相邻二区段之间具有一间距。

9.如权利要求6的封装结构,更包括至少一第一焊料,位于该接地焊垫上,且电性连接至该内屏蔽体。

10.如权利要求9的封装结构,其中该第一焊料的表面为圆弧状。

11.一种具有内屏蔽体的封装结构的制造方法,包括:

提供一基板及数个电子组件,该基板具有一第一表面及一侧面,且包括一接地金属层及至少一接地焊垫,该接地金属层位于该基板内,且显露于该基板的侧面,该接地焊垫位于该基板内,显露于该基板的第一表面,且电性连接至该接地金属层,该等电子组件位于该基板的第一表面;

形成一封胶体于该基板的第一表面上,以包覆该等电子组件,该封胶体包括一上表面、一下表面及一侧面;

移除部分该封胶体,以形成至少一沟槽,该沟槽贯穿该封胶体的上表面及下表面,且位于该等电子组件之间;

填满一内屏蔽体于该沟槽内,该内屏蔽体电性连接至该接地焊垫;

切割该基板及该封胶体;及

形成一遮蔽层,以覆盖该封胶体及该基板的侧面,且电性连接该接地金属层及该内屏蔽体。

12.如权利要求11的方法,其中该基板更包括一上接地金属区域及一防焊层,该上接地金属区域位于该基板内,且显露于该基板的第一表面,该防焊层位于该基板的第一表面,且具有至少一开口,显露部分该上接地金属区域,以形成该接地焊垫。

13.如权利要求11的方法,其中该提供一基板及数个电子组件的步骤中,更包括一形成至少一第一焊料于该接地焊垫上的步骤,该第一焊料电性连接至该内屏蔽体。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910211804.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top