[发明专利]乘法数模转换器有效
| 申请号: | 200910210790.5 | 申请日: | 2009-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN101753145A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
| 发明(设计)人: | 涂维轩;康宗弘 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H03M1/66 | 分类号: | H03M1/66 |
| 代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛强;张一军 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 乘法 数模转换器 | ||
1.一种乘法数模转换器,包含:
运算放大器,在第一供电电压以及第二供电电压下运算,其中,所述第一供电电压高于所述第二供电电压;
运算放大器输入开关区,耦接于共模电压,选择性地将所述共模电压耦接至所述运算放大器的多个输入节点,其中,包含在所述运算放大器输入开关区内的所有开关仅利用P型金属氧化物半导体晶体管来实现,且所述第一供电电压与所述共模电压之间的第一电压差小于所述共模电压与所述第二供电电压之间的第二电压差;
电容区,耦接于所述运算放大器输入开关区,对相应于输入信号的电荷进行抽样或对相应于参考信号的电荷进行抽样;
抽样开关区,耦接于所述输入信号,选择性地将所述输入信号耦接至所述电容区;
参考电压开关区,耦接于所述电容区,选择性地将所述参考信号耦接至所述电容区;以及
反馈开关区,耦接于所述电容区以及所述运算放大器的多个输出节点之间,选择性地将所述运算放大器的所述输出节点耦接至所述电容区。
2.根据权利要求1所述的乘法数模转换器,其特征在于,所述第一电压差小于所述第一供电电压与所述第二供电电压之间的电压差的四分之一,以及所述第二电压差不小于所述第一供电电压与所述第二供电电压之间的所述电压差的四分之三。
3.根据权利要求1所述的乘法数模转换器,其特征在于,所述共模电压与所述第一供电电压相等。
4.根据权利要求1所述的乘法数模转换器,其特征在于,所述乘法数模转换器进一步包含:
运算放大器共用开关区,耦接于所述运算放大器的所述输入节点与所述运算放大器输入开关区之间,当所述乘法数模转换器进入保持阶段时,选择性地将所述运算放大器的所述输入节点连接至所述运算放大器输入开关区,或当所述乘法数模转换器进入抽样阶段时,将所述运算放大器的所述输入节点从所述 运算放大器输入开关区断开,其中,包含在所述运算放大器共用开关区内的所有开关仅利用P型金属氧化物半导体晶体管来实现。
5.根据权利要求1所述的乘法数模转换器,其特征在于,包含在所述抽样开关区内的所有开关仅利用本征N型金属氧化物半导体晶体管来实现。
6.根据权利要求1所述的乘法数模转换器,其特征在于,包含在所述抽样开关区内的每一个开关利用至少一个本征N型金属氧化物半导体晶体管与至少一个P型金属氧化物半导体晶体管的组合来实现。
7.根据权利要求1所述的乘法数模转换器,其特征在于,所述参考电压开关区包含:
第一开关,耦接于第一参考电压与所述电容区之间,其中,所述第一开关利用至少一个N型金属氧化物半导体晶体管来实现,且所述第一开关不包含P型金属氧化物半导体晶体管;以及
第二开关,耦接于第二参考电压与所述电容区之间,其中,所述第一参考电压不同于所述第二参考电压,所述第二开关利用一个P型金属氧化物半导体晶体管来实现,且所述第二开关不包含N型金属氧化物半导体晶体管。
8.根据权利要求1所述的乘法数模转换器,其特征在于,所述参考电压开关区包含:
第一开关,耦接于第一参考电压与所述电容区之间,其中,所述第一开关利用至少一个N型金属氧化物半导体晶体管来实现,且所述第一开关不包含P型金属氧化物半导体晶体管;以及
第二开关,耦接于第二参考电压与所述电容区之间,其中,所述第一参考电压不同于所述第二参考电压,所述第二开关利用至少一个本征N型金属氧化物半导体晶体管来实现,且所述第二开关不包含P型金属氧化物半导体晶体管。
9.根据权利要求7或8所述的乘法数模转换器,其特征在于,所述第一参考电压高于所述第二参考电压。
10.根据权利要求1所述的乘法数模转换器,其特征在于,包含在所述反馈开关区内的所有开关仅利用本征N型金属氧化物半导体晶体管来实现。
11.根据权利要求1所述的乘法数模转换器,其特征在于,包含在所述反馈开关区内的每一个开关利用至少一个本征N型金属氧化物半导体晶体管与至少一个P型金属氧化物半导体晶体管的组合来实现。
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