[发明专利]构图金属栅极的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成第一、第二、第三和第四栅极结构，每个栅极结 构具有伪栅极；

从所述第一、第二、第三和第四栅极结构上除去所述伪栅极，从而分 别形成第一、第二、第三和第四沟槽；

形成金属层以部分地填充所述第一、第二、第三和第四沟槽；

在所述第一、第二和第三沟槽上方形成第一光致抗蚀剂层；

蚀刻所述第四沟槽中的部分金属层；

除去所述第一光致抗蚀剂层；

在所述第二沟槽和所述第三沟槽上方形成第二光致抗蚀剂层；

蚀刻所述第一沟槽中的金属层以及所述第四沟槽中剩余部分的金属 层；以及

除去所述第二光致抗蚀剂层。

2.如权利要求1所述的方法，其中通过湿蚀刻工艺蚀刻所述金属层， 所述湿蚀刻工艺包括使用1∶1∶5容积比的NH₄OH∶H₂O₂∶去离子水的蚀刻溶 液。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一光致抗蚀剂层与所述第二 光致抗蚀剂层分别包括2,000埃的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一栅极结构的栅极长度小于 所述第四栅极结构的栅极长度。

5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成第一、第二、第三和第四栅极结构，每个栅极结 构具有伪栅极；

从所述第一、第二、第三和第四栅极结构上除去所述伪栅极，从而分 别形成第一、第二、第三和第四沟槽；

形成金属层以填充所述第一、第二、第三和第四沟槽；

在所述第一、第二和第三沟槽上方形成第一光致抗蚀剂层；

蚀刻所述第四沟槽中的部分金属层，所述蚀刻执行不超出光致抗蚀剂 剥落时间窗的期间；

除去所述第一光致抗蚀剂层；

在所述第二沟槽和第三沟槽上方形成第二光致抗蚀剂层；

蚀刻所述第一沟槽中的金属层以及所述第四沟槽中剩余部分的金属 层，所述蚀刻执行不超出光致抗蚀剂剥落时间窗的期间；以及

除去所述第二光致抗蚀剂层。

6.如权利要求1或5所述的方法，其中所述金属层包括厚度范围从 10埃到200埃的P金属或者N金属。

7.如权利要求6所述的方法，其中若所述金属层包括P金属，所述第 一栅极结构与所述第四栅极结构的每一个为NMOS器件的一部分；以及

若所述金属层包括N金属，所述第一栅极结构与所述第四栅极结构的 每一个为PMOS器件的一部分。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述光致抗蚀剂剥落窗为25秒。

9.如权利要求5所述的方法，其中所述第一栅极结构的栅极长度小于 所述第四栅极结构的栅极长度。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成第一、第二、第三和第四栅极结构，每个栅极结 构具有伪栅极，其中所述第一栅极结构的栅极长度小于所述第四栅极结构 的栅极长度；

从所述第一、第二、第三和第四栅极结构上除去所述伪栅极，从而分 别形成第一、第二、第三和第四沟槽；

形成金属层以填充所述第一、第二、第三和第四沟槽；

在所述第一、第二和第三沟槽上方形成第一光致抗蚀剂层；

蚀刻所述第四沟槽中的部分金属层；

除去所述第一光致抗蚀剂层；

在所述第二沟槽和所述第三沟槽上方形成第二光致抗蚀剂层；

蚀刻所述第一沟槽中的金属层以及所述第四沟槽中剩余部分的金属 层；以及

除去所述第二光致抗蚀剂层。

11.如权利要求1或10所述的方法，其中所述第一栅极结构的栅极长 度范围从0.028um到0.03um，并且所述第四栅极结构的栅极长度范围从 1um到10um。