[发明专利]熔丝结构的形成方法无效
| 申请号： | 200910208834.0 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054765A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 匡金;祝孔维;张明敏;赵志勇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 形成 方法 | ||
1.一种熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有熔丝结构；
在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖熔丝结构并具有目标厚度；
在所述第一介质层上形成刻蚀终止层；
在所述刻蚀终止层上形成第二介质层；
对所述第二介质层进行选择性刻蚀，在所述熔丝结构上方形成开口，所述开口底部露出刻蚀终止层。
2.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述目标厚度为2000至
3.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料选自氧化硅、有机硅酸盐玻璃或硼硅玻璃。
4.根据权利要求3所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀终止层的材料与第二介质层的材料不同。
5.根据权利要求4所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀终止层的材料选自氮氧化硅、氮化硅或富硅氧化物。
6.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀终止层的厚度为300至
7.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述选择性刻蚀为干法刻蚀，刻蚀气体为C4F8、O2、CO和Ar的混合气体。
8.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，在形成刻蚀终止层之后、形成第二介质层之前还包括：对所述刻蚀终止层进行刻蚀，去除所述熔丝结构区域之外的刻蚀终止层。
9.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述熔丝结构为多晶硅熔丝或金属熔丝。
10.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层为多层结构，第二介质层内形成有通孔或互连结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
