[发明专利]使用反向成像方法的基于模型的辅助特征放置

说明书

技术领域

本公开总体上涉及电子设计自动化。更具体地，本公开涉及用于使用反向成像方法的基于模型的辅助特征放置的方法和设备。

背景技术

计算技术的飞速发展使得有可能对数据集每秒执行数万亿次的计算操作，而数据集有时有万亿字节那么大。这些发展可以归因于半导体设计和制造技术的巨大进步，其使得有可能在单个芯片上集成数千万的器件。

一种此类技术涉及在掩膜布局中放置辅助特征。注意，辅助特征可以是印刷式(例如，超分辨率辅助特征)或非印刷式(例如，次分辨率辅助特征)。在任一情况下，辅助特征的目的在于改善掩膜布局上希望印刷在晶片上的图案的整体工艺窗口(through processwindow)。

某些用于放置辅助特征的传统技术使用设计规则，其基于特征宽度和间距参数的组合来放置辅助特征以及调整其大小。遗憾的是，在较小的技术节点处，基于规则的方法可能导致遗漏的或次优的放置辅助特征和/或确定辅助特征的尺寸。此外，大型复杂的布局可能需要大量的设计规则，这可能非常难于管理。而且，设计规则可能会具有过度的限制性，从而妨碍设计者获得最佳的器件性能。

某些传统技术使用基于ILT(反向光刻技术)的技术。遗憾的是，传统的基于ILT的方法存在多种缺陷。具体地，传统基于ILT的技术通常不能准确地表示掩膜布局中所有图案，不合理地需要大量计算时间和资源，并且导致不对称的辅助特征放置。因此，通常希望能够在没有上述缺陷的情况下确定辅助特征位置。

发明内容

本发明的某些实施方式提供了如下系统和技术，其使用反向成像方法确定在掩膜布局中放置辅助特征的位置。具体地，系统可以使用粗灰度图像来表示掩膜布局，并且可以通过迭代式修改该灰度图像来计算反向掩膜场。该系统继而可以使用此反向掩膜场来确定辅助特征位置。

注意，此系统通常使用代价函数(cost function)的梯度来引导迭代式修改过程。在某些实施方式中，如果反向掩膜场经历光刻过程，则该反向掩膜场可能形成虚像，代价函数可以表明掩膜布局与虚像之间的差异。

在操作期间，系统可以确定空间采样频率以对目标掩膜布局进行采样，其中以空间采样频率对目标掩膜布局进行采样防止了代价函数的梯度中的空间走样。接着，系统可以通过以空间采样频率对目标掩膜布局进行采样来生成反走样的灰度图像。系统继而可以通过如下方式计算反向掩膜场：迭代式地使用代价函数的梯度来修改灰度图像，以及至少基于修改的灰度图像来更新代价函数的梯度。一旦迭代过程结束，则系统就可以至少基于所计算的反向掩膜场来标识用于放置辅助特征的位置。

在某些实施方式中，系统可以对反向掩膜场应用形态学算子，以滤波出反向掩膜场中可能放置辅助特征的位置处的噪声。在应用了形态学算子之后，系统继而可以使用滤波后的反向掩膜场来标识辅助特征位置。

在某些实施方式中，系统在代价函数的值基本上达到最小值之前终止对灰度图像的迭代式修改。具体地，系统可以在固定的迭代次数之后终止对灰度图像的迭代式修改，和/或一旦灰度图像的对比度超过给定阈值就终止对灰度图像的迭代式修改，和/或使用其他一些标准来确定何时终止此迭代式修改。

附图说明

本专利或申请文件包含至少一幅彩图。根据请求并且支付必要费用后，将由专利局提供本专利或专利申请的带有彩图的公开副本。

图1示出了根据本发明一个实施方式在集成电路的设计与制作中的各个阶段；

图2示出了根据本发明一个实施方式的针对两种不同采样频率的中间场(Z^*-Z)·(H*M)的频谱；

图3示出了根据本发明一个实施方式的二进制掩膜和相应的灰度图像；

图4示出了根据本发明一个实施方式的在八次迭代之后的反向掩膜场；

图5示出了根据本发明一个实施方式如何对反向掩膜场应用形态学算子；

图6给出了示出根据本发明一个实施方式的用于标识放置辅助特征的位置的过程的流程图；

图7示出了根据本发明一个实施方式的计算机系统；以及

图8示出了根据本发明一个实施方式的设备。

具体实施方式

给出下文描述是为了使本领域技术人员能够制造和使用本发明，并且下文描述是在特定应用及其需求的上下文中提供的。对于本领域技术人员而言，对所公开实施方式的各种修改将是易见的，而且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以将在此限定的一般性原理应用于其他实施方式和应用。由此，本发明并不限于所示实施方式，而是按照在此公开的原理和特征的最宽范围。

集成电路(IC)设计流程