[发明专利]电子元件封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，包括多个晶片，每个晶片具有一第一表面 及相对的一第二表面；

多个导电电极，设置于各晶片的该第一表面上或上方，其 中位于任两个相邻的该晶片上的所述导电电极沿着该晶片侧边 的方向呈非对称排列；以及

多个接触孔，以暴露出所述导电电极。

2.根据权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于， 所述导电电极包括导电接触垫或重布线路层。

3.根据权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于， 还包括：

至少一沟槽，设置于各晶片内且与该晶片的侧边相隔一距 离，该沟槽自该晶片的该第二表面向该第一表面的方向延伸；

多个接触孔，设置于各沟槽的底部，以暴露出对应的所述 导电电极的一接触面；以及

一绝缘层，覆盖所述晶片的该第二表面，且延伸至所述沟 槽的侧壁和底部，其中所述接触孔设置于该绝缘层中。

4.根据权利要求3所述的电子元件封装体，其特征在于， 还包括多条导线层设置于该绝缘层上，每条该导线层自该第二 表面延伸至该沟槽的侧壁和底部，并通过对应的该接触孔延伸 至该导电电极的该接触面上，其中任两个相邻的该晶片上的所 述导线层沿着该晶片侧边的方向呈非对称排列。

5.根据权利要求4所述的电子元件封装体，其特征在于， 任两个相邻的该晶片之间具有一既定高度的该半导体基底，且 任两个相邻的该晶片上的所述导线层被该既定高度的该半导体 基底隔离。

6.根据权利要求5所述的电子元件封装体，其特征在于， 该既定高度的该半导体基底与该沟槽等高。

7.根据权利要求4所述的电子元件封装体，其特征在于， 还包括一保护层设置于所述沟槽中，且延伸至所述晶片的该第 二表面上。

8.根据权利要求7所述的电子元件封装体，其特征在于， 还包括一封装层覆盖所述晶片的该第一表面。

9.根据权利要求3所述的电子元件封装体，其特征在于， 该晶片内具有多个该沟槽，所述沟槽间具有一既定高度的该半 导体基底，以容纳集成电路、感测薄膜或空腔结构。

10.根据权利要求9所述的电子元件封装体，其特征在于， 该既定高度的该半导体基底与该沟槽等高。

11.一种电子元件封装体的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，包括多个晶片，任两个相邻的该晶片 间包括一切割区，每个晶片具有一第一表面及相对的一第二表 面；

于各晶片的该第一表面上或上方提供多个导电电极，且位 于任两个相邻的该晶片上的所述导电电极沿着该晶片侧边的方 向呈非对称排列；及

于各晶片内形成多个接触孔，以暴露出所述导电电极。

12.根据权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法， 其特征在于，还包括：

于各晶片内形成至少一沟槽，该沟槽与该晶片的侧边相隔 一距离，且沿着该第二表面向该第一表面的方向延伸；

形成一绝缘层，覆盖所述晶片的该第二表面，并延伸至所 述沟槽的侧壁和底部；以及

图案化该绝缘层，于各沟槽的底部形成多个接触孔，以暴 露出对应的所述导电电极的接触面；

其中所述导电电极包括导电接触垫或重布线路层。

13.根据权利要求12所述的电子元件封装体的制造方法， 其特征在于，还包括形成多条导线层于该绝缘层上，每条该导 线层自该第二表面延伸至该沟槽的侧壁和底部，并通过对应的 该接触孔延伸至该导电电极的该接触面上，其中任两个相邻的 该晶片上的所述导线层沿着该晶片侧边的方向呈非对称排列。

14.根据权利要求13所述的电子元件封装体的制造方法， 其特征在于，任两个相邻的该晶片之间形成有一既定高度的该 半导体基底，且任两个相邻的该晶片上的所述导线层被该既定 高度的该半导体基底隔离。