[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

包括：

布线基板，其含有形成有多个接合引线的上表面、及位于与所述上表面相反一 侧且形成有多个焊盘的下表面；

半导体芯片，其含有形成有多个焊垫的主面，并搭载在所述布线基板的上表面 上；

多个导电性构件，其将所述半导体芯片的所述多个焊垫、与所述布线基板的所 述多个接合引线分别电性连接；以及

多个外部端子，其分别连接于所述布线基板的所述多个焊盘，

所述布线基板包含芯材，该芯材含有位于所述布线基板上表面侧的上表面、及 位于所述布线基板下表面侧的下表面；

所述布线基板是在所述芯材的所述上下表面侧的各个上交替形成有多个布线 层及多个绝缘层的多层布线基板；

所述多个接合引线是由所述多个布线层中最上层的布线层的一部分所构成；

所述多个焊盘是由所述多个布线层中最下层的布线层的一部分所构成；

所述芯材是含有纤维及树脂的第1绝缘层；

所述多个绝缘层包括含有纤维及树脂的第2绝缘层、以及纤维含量分别少于所 述第1绝缘层及所述第2绝缘层的第3绝缘层；

所述第2绝缘层分别形成于所述芯材的所述上下表面侧；

所述第3绝缘层经由所述第2绝缘层而分别形成于所述芯材的所述上下表面 侧；

所述最上层的布线层及所述最下层的布线层分别形成于所述第3绝缘层上，其 中所述多个布线层分别在所述芯材的所述上下表面侧各形成有3层，并且所述第1 绝缘层的厚度厚于所述第2绝缘层的厚度，所述第2绝缘层的厚度厚于所述第3绝 缘层的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在所述半导体芯片的所述主面上，形成有对从外部设备所供给的信号进行转换 的运算处理电路；

所述多个焊垫含有：第1界面用焊垫，其与所述运算处理电路电性连接，并输 入从所述外部设备所供给的所述信号；第2界面用焊垫，其与所述运算处理电路电 性连接，并输出通过所述运算处理电路所转换的信号；电源电位用焊垫，其输入从 所述外部设备所供给的电源电位；及基准电位用焊垫，其输入从所述外部设备所供 给的基准电位；

所述多个布线层含有所述信号所流动的第1布线图案、所述电源电位所流动的 第2布线图案、及所述基准电位所流动的第3布线图案；

所述第1布线图案、所述第2布线图案及所述第3布线图案分别以如下方式而 形成：在所述最上层的布线层及所述最下层的布线层上，使所述第1布线图案的总 面积大于所述第2布线图案及所述第3布线图案的总面积；在除所述最上层的布线 层及所述最下层的布线层以外的布线层上，使所述第2布线图案的总面积或者所述 第3布线图案的总面积大于所述第1布线图案的总面积。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体芯片是以使所述主面与所述布线基板的所述上表面相对的方式搭 载在所述布线基板的所述上表面上；

所述半导体芯片的所述多个焊垫与所述布线基板的所述多个接合引线是经由 多个凸块电极而分别电性连接。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

在所述半导体芯片的所述主面与所述布线基板的所述上表面之间，形成有将所 述多个凸块电极进行密封的密封体。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体芯片是以使位于与所述主面相反一侧的背面与所述布线基板的所 述上表面相对的方式，搭载在所述布线基板的所述上表面上；

所述半导体芯片的所述多个焊垫与所述布线基板的所述多个接合引线是经由 多个导线而分别电性连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

在所述布线基板的所述上表面上，形成有将所述半导体芯片及所述多个导线进 行密封的密封体。