[发明专利]NMOS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200910201193.6 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097320A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;吴永坚;郭锐;廖金昌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nmos 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种NMOS器件的形成方法，所述方法包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面上依次形成栅极介质层和栅电极，位于所述栅电极两侧的半导体衬底分别为源区和漏区；
在所述源区和漏区内依次注入铟离子与硼离子，形成口袋区域；
其特征在于，所述铟离子掺杂剂量为0.5E13～2E13/cm2；所述硼离子掺杂剂量为0.5E13～4E13/cm2。
2.根据权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述NMOS器件用于输入输出电路中。
3.根据权利要求2所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述NMOS器件的饱和漏电流为0.49mA/μm～0.59mA/μm。
4.根据权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述口袋区域形成中，铟离子的注入能量为50Kev～70Kev，硼离子的注入能量为7Kev～15Kev。
5.根据权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述铟离子和硼离子的注入角度范围为：与垂直于半导体衬底表面的法线方向夹角0°～45°。
6.根据权利要求5所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述铟离子和硼离子的注入角度为：与垂直于半导体衬底表面的法线方向夹角30°。
7.根据权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，还包括在位于所述口袋区域上方的源区和漏区内注入磷离子，形成轻掺杂区。
8.根据权利要求7所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述轻掺杂区域形成中，磷离子的注入能量为10Kev～15Kev。
9.根据权利要求1所述的NMOS器件的形成方法，其特征在于，所述栅极介质层为二氧化硅。
10.一种如权利要求1至9中任一项所形成的NMOS器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
