[发明专利]掩膜层的形成方法及刻蚀方法无效
| 申请号： | 200910201188.5 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097362A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 徐载景;张迎春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜层 形成 方法 刻蚀 | ||
1.一种掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面形成AlCu层；
在所述AlCu层表面形成有机底部抗反射层；
在所述底部抗反射层表面形成光刻胶层。
2.如权利要求1所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述AlCu层厚度为1000埃至2000埃。
3.如权利要求1所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述AlCu层的形成工艺为物理气相沉积工艺或者金属化合物气相沉积工艺。
4.如权利要求1所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述有机底部抗反射层的厚度为300埃至1500埃。
5.如权利要求1所述的掩膜层的形成方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为1000埃至2500埃。
6.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有金属层、介质层和硬掩膜层；所述介质层和硬掩膜层内形成有暴露出金属层的第一开口；所述硬掩膜层表面形成有填充所述第一开口的填充层；
在所述填充层表面形成AlCu层；
在所述AlCu层表面形成有机底部抗反射层；
在所述有机底部抗反射层表面形成光刻胶图形；
以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述有机底部抗反射层；
去除所述光刻胶图形；
以所述有机底部抗反射层为掩膜，刻蚀所述AlCu层；
以所述有机底部抗反射层和刻蚀后的所述AlCu层为掩膜，依次刻蚀填充层、硬掩膜层和介质层，形成第二开口。
7.如权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述AlCu层厚度为1000埃至2000埃。
8.如权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述AlCu层的形成工艺为物理气相沉积工艺或者金属化合物气相沉积工艺。
9.如权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述有机底部抗反射层的厚度为300埃至1500埃。
10.如权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶图形的厚度为1000埃至2500埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
