[发明专利]防止闩锁的电路无效
申请号: | 200910199244.6 | 申请日: | 2009-11-18 |
公开(公告)号: | CN102064815A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 单毅;唐成琼 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03K19/007 | 分类号: | H03K19/007;G05F3/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴靖靓;李丽 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 电路 | ||
1.一种防止闩锁的电路,其特征在于,包括:电流镜、第一电阻、第一反相器和开关晶体管,其中,
所述电流镜,输入工作电源和接地电源之间的电流,输出镜像电流;
所述第一电阻连接在电源和所述电流镜的输出端之间;
所述第一反相器的输入端连接所述电流镜的输出端;
所述开关晶体管连接在电源和核心电路之间,其栅极连接第一反相器的输出端,源极和漏极分别连接电源和核心电路。
2.根据权利要求1所述的防止闩锁的电路,其特征在于,所述电流镜包括第一晶体管和第二晶体管,为PMOS晶体管,
所述第一晶体管和第二晶体管的源极接工作电源,所述第一晶体管的栅极连接所述第二晶体管的栅极和漏极,并连接核心电路接工作电压的一端;
所述第一电阻连接在接地电源和第二晶体管的漏极之间;
所述第一反相器的输入端连接所述第二晶体管的漏极;
所述开关晶体管为NMOS晶体管,源极连接接地电源,漏极连接核心电路接地的一端。
3.根据权利要求1所述的防止闩锁的电路,其特征在于,所述电流镜包括第一晶体管和第二晶体管,为NMOS晶体管,
所述第一晶体管和第二晶体管的源极接接地电源,所述第一晶体管的栅极连接所述第二晶体管的栅极和漏极,并连接核心电路接地的一端;
所述第一电阻连接在工作电源和第二晶体管的漏极之间;
所述开关晶体管为PMOS晶体管,其源极连接工作电源,漏极连接核心电路接工作电压的一端。
4.根据权利要求1至3任一项所述的防止闩锁的电路,其特征在于,还包括:放电单元,在所述工作电源和接地电源之间的电流超过预定电流时进行放电。
5.根据权利要求4所述的防止闩锁的电路,其特征在于,所述放电单元包括:电容、第二电阻和放电晶体管,其中,电容的一端连接工作电源,另一端连接第二电阻的一端和放电晶体管的栅极;第二电阻的另一端连接接地电源;放电晶体管的漏极连接工作电源,源极连接接地电源。
6.根据权利要求4所述的防止闩锁的电路,其特征在于,所述放电单元包括:电容、第二电阻、第二反相器和放电晶体管,其中,电容的一端连接接地电源,另一端连接第二电阻的一端和第二反相器的输入端;第二反相器的输出端连接放电晶体管的栅极;第二电阻的另一端连接工作电源;放电晶体管的漏极连接工作电源,源极连接接地电源。
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