[发明专利]金属栅电极和金属栅电极的制作方法有效
| 申请号： | 200910198093.2 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054674A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 电极 制作方法 | ||
1.一种金属栅电极的制作方法，该方法包括：
在半导体衬底的有源区上依次形成栅氧化层和“T”形结构物质；
在半导体衬底的有源区上，未形成有所述栅氧化层和“T”形结构物质的位置沉积层间介质层，所述层间介质层的高度与“T”形结构物质齐平；
将所述“T”形结构物质去除；
在去除“T”形结构物质的位置沉积形成“T”形金属栅电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述“T”形结构物质为多晶硅栅极或氮化物栅极。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述“T”形多晶硅栅极的制作方法包括：
在栅氧化层的表面沉积多晶硅层，在所述多晶硅层表面涂布光阻胶层，曝光显影图案化所述光阻胶层，定义“T”形多晶硅栅电极中的“一”部分的宽度；
以所述曝光显影图案化的光阻胶层为掩膜，对所述多晶硅层进行第一步主刻蚀，刻蚀高度为“一”部分的高度；
对所述多晶硅层进行第二步主刻蚀，形成T”形多晶硅栅电极的“1”部分形状；
过刻蚀T”形多晶硅栅电极之外的多晶硅层，形成“T”形多晶硅栅极。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一步主刻蚀的气体包括含氟类气体和溴化氢HBr。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述含氟类气体为三氟甲烷CHF3、二氟甲烷CH2F2、或四氟化碳CF4。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述CH2F2的流量为10～100标准立方厘米每分钟sccm。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述HBr的流量为20～500sccm。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二步主刻蚀的气体包括六氟化硫SF6和氧气，所述SF6的流量为10～100sccm；
所述第二步主刻蚀时的偏置功率为300～800瓦。
9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述过刻蚀的气体包括HBr和氧气，所述HBr的流量为50～250sccm。
10.一种金属栅电极，该金属栅电极具有“T”形结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
