[发明专利]形成接触孔的方法有效
| 申请号： | 200910198064.6 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102054745A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 邹立;罗飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 接触 方法 | ||
1.一种形成接触孔的方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上依次形成绝缘介质层、硬掩膜层和光刻胶层；
在光刻胶层上形成接触孔开口图形；
以光刻胶层为掩膜，沿接触孔开口图形刻蚀硬掩膜层，形成接触孔开口；
去除所述光刻胶层；
以硬掩膜层为掩膜，沿接触孔开口采用等离子体刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层至一定深度，所述深度为形成目标接触孔深度的三分之一至四分之三；
判断硬掩膜层表面积累的带电离子类型，在反应腔中通入与所述带电离子类型相反的等离子体，至中和所述带电离子；
以硬掩膜层为掩膜，继续刻蚀绝缘介质层至露出半导体衬底，形成目标接触孔。
2.根据权利要求1所述形成接触孔的方法，其特征在于，刻蚀绝缘介质层的等离子体刻蚀工艺的刻蚀气体包括C5F8和Ar。
3.根据权利要求2所述形成接触孔的方法，其特征在于，C5F8的流量为15～25sccm，Ar的流量为600～900sccm，刻蚀时间为200秒至550秒。
4.根据权利要求1所述形成接触孔的方法，其特征在于，形成的所述目标接触孔的深宽比范围为15∶1至30∶1。
5.根据权利要求1所述形成接触孔的方法，其特征在于，中和硬掩膜层表面积累的带电离子的工艺为：通入含有氩和氮的等离子体。
6.根据权利要求5所述形成接触孔的方法，其特征在于，氩气的流量为15～25sccm，氮气的流量为600～900sccm，刻蚀时间为5～20秒。
7.根据权利要求6所述形成接触孔的方法，其特征在于，刻蚀过程中反应腔压力为50～150mT，顶部射频功率为200～500W，底部射频功率为0～50W。
8.根据权利要求1所述形成接触孔的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅、氮氧化硅或不定型多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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