[发明专利]铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法有效
| 申请号： | 200910197083.7 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044474A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/321;C23G1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 化学 机械抛光 表面 处理 方法 | ||
1.一种铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口内填充有金属铜；
对所述半导体衬底进行化学机械抛光，至所述开口内的金属铜与介质层表面齐平；
使用碱性制剂对所述介质层和金属铜的表面进行清洗；
对所述介质层和金属铜的表面等离子体预处理；
在所述介质层和金属铜的表面形成刻蚀停止层。
2.根据权利要求1所述的铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，所述碱性制剂的PH值为9～13，其主要成分包括氨水、苯并三唑、双氧水、辛烷磺酸钠。
3.根据权利要求1所述的铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，所述气体等离子体预处理的气体选自氨气、氮气、氦气、氢气。
4.根据权利要求3所述的铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，所述氨气的流量为100～200sccm。
5.根据权利要求3所述的铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，所述气体等离子体预处理的反应温度为360～400℃。
6.根据权利要求3所述的铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，所述气体等离子体预处理的工艺时间为15～20sec。
7.根据权利要求1所述的铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，所述介质层的材料为低介电常数介质。
8.根据权利要求1所述的铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，所述刻蚀停止层选自氮化硅、掺氮碳化硅。
9.根据权利要求8所述的铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的形成方法为低压化学气相淀积、等离子体增强化学气相淀积。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
