[发明专利]用于制造包含公共源极晶体管的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910196839.6 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102034757A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 孙俊菊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 包含 公共 晶体管 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造包含公共源极晶体管的半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底，在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离区，并在所述浅沟槽隔离区中填充绝缘层；
在所述多个浅沟槽隔离区之间的衬底上形成至少两个栅极；
在未来不形成公共源极的衬底区域上涂敷光刻胶；
刻蚀去除将要形成公共源极的浅沟槽隔离区内的绝缘层；
进行离子注入，形成公共的源极；
在所述至少两个栅极之间形成了公共源极的区域上涂敷光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括利用灰化的方法去除离子注入后的所有光刻胶。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括进行离子注入，形成漏极。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极是双层栅极结构，包含位于硅衬底上的第一介电层，位于第一介电层上的第一栅极，位于第一栅极上的第二介电层以及位于第二介电层上的第二栅极。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极的材料是多晶硅。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述至少两个栅极之间形成了公共源极区域上涂覆的光刻胶的厚度为8000-25000埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管是MOSFET。
8.一种包含如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路和掩埋式DRAM、射频器件。
9.一种包含如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910196839.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种相变蓄能装置
- 下一篇：热管热交换器及其组合
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
