[发明专利]MIM电容模型的提取方法有效
| 申请号： | 200910196112.8 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101661528A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 路向党;许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容 模型 提取 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MIM电容模型的提取方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)选取至少三个面积相同、通孔密度相同但周长不同的MIM电容，提 取MIM电容的边缘电容；
(2)选取步骤(1)中使用的一个电容，再选取与该电容通孔密度和周长 相同但面积不同的至少两个MIM电容，结合得到的边缘电容提取MIM电容的 面积电容；
(3)选取步骤(1)和步骤(2)共同使用的电容，再选取与该电容面积和 周长相同但通孔密度不同的至少两个MIM电容，结合得到的边缘电容和面积电 容提取MIM电容的通孔电容；
(4)根据获得的通孔电容和通孔密度为坐标制图，并对数据进行拟合，获 得通孔电容对通孔密度的函数关系；
(5)定义参数，将上述函数关系写入MIM现有的模型中，获得新的MIM 模型；
所述步骤(1)至(3)中边缘电容、面积电容和通孔电容具有如下关系：
C＝C_area*S+C_f*P+S*f(DVIA)；
其中，C为总电容，C_area为面积电容，C_f为边缘电容，S为MIM电容 的面积，P为MIM电容的周长，DVIA是MIM电容上极板上的通孔密度，而f (DVIA)是步骤(4)中所述通孔电容对通孔密度的函数关系式。
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