[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200910195308.5 | 申请日: | 2009-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN102012592A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
| 发明(设计)人: | 黄贤军;袁剑峰 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00;H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴靖靓;李丽 |
| 地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,特别涉及液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
液晶显示装置由于具备轻薄、省电、无辐射等优点而逐渐取代阴极射线管(CRT)显示装置,成为显示器发展的主流趋势。液晶显示装置被大量的应用于个人数字助理器(PDA)、笔记本计算机、数字相机、摄录像机、移动电话等各式电子产品中。
液晶显示装置通常包含上基板、下基板和夹于上、下基板之间的液晶层,图1是现有的一种液晶显示装置的结构示意图,上基板包括:上基底1和形成于上基底1上的彩色滤光片,彩色滤光片包括黑色挡光矩阵2、红色色阻3、绿色色阻4和蓝色色阻5,共需要4道光刻掩模板形成所述黑色挡光矩阵2、红色色阻3、绿色色阻4和蓝色色阻5的图形。下基板包括:下基底6和形成于下基底6上的薄膜晶体管(TFT)结构层14、数据线金属、源极、漏极金属(图中未标示)、数据线保护绝缘层12和像素电极13。其中,薄膜晶体管结构层14包括栅极金属8、栅极绝缘层9、非晶硅层10和欧姆接触层11。形成上述下基板共需要5道光刻掩模板,其中,第一道形成栅极金属图形8,第二道形成栅极绝缘层图形9、非晶硅层图形10和欧姆接触层图形11,第三道形成数据线金属和源极金属、漏极金属图形,第四道形成数据线保护绝缘层图形12,第五道形成像素电极图形13。
图1所示的液晶显示装置,将带有彩色滤光片的上基板和带有薄膜晶体管的下基板贴合时,需要很高的对位精准;并且,为防止贴合时的对位偏差所造成的漏光,黑色挡光矩阵需要做得宽一些,这样显然会损失一定量的开口率,导致显示装置的开口率低,影响显示质量。
发明内容
本发明解决现有技术液晶显示装置的彩色滤光片形成在上基底,导致开口率低的问题。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种液晶显示装置的制造方法,包括:提供基底;在所述基底上依次形成挡光层和薄膜晶体管结构层;图案化所述薄膜晶体管结构层和挡光层;在所述基底和部分图案化的挡光层上形成色阻层。
为解决上述问题,本发明实施例还提供一种液晶显示装置,包括:基底;图案化的挡光层和薄膜晶体管结构层,依次形成于所述基底上;色阻层,形成于所述基底和部分图案化的挡光层上。
相比于现有技术将彩色滤光片形成在上基底上,上述技术方案将彩色滤光片形成在下基底上,因而降低了上、下基板贴合时的对位精度要求,不需要加宽黑色挡光矩阵来防止因对位偏差而造成的漏光,从而提高了液晶显示装置的开口率和显示质量。
附图说明
图1是现有技术的一种液晶显示装置的结构示意图;
图2是本发明实施例的液晶显示装置的制造方法的流程图;
图3是本发明液晶显示装置的一个实施例的平面结构图;
图4至15是图3所示液晶显示装置的制造方法的步骤示意图;
图16是本发明液晶显示装置的另一个实施例的平面结构图;
图17至28是图16所示液晶显示装置的制造方法的步骤示意图。
具体实施方式
本发明实施方式将彩色滤光片形成在带有薄膜晶体管阵列的下基板上(COA,color filter on array),即在下基板的下基底上形成彩色滤光片的色阻层和挡光层。下面结合附图和实施例对本发明实施方式进行详细说明。
本发明实施例的液晶显示装置的制造方法如图2所示,包括:
步骤S21,提供基底;
步骤S22,在所述基底上依次形成挡光层和薄膜晶体管结构层,所述薄膜晶体管结构层包括依次形成在该挡光层上的栅极金属层、栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层;
步骤S23,图案化所述薄膜晶体管结构层和挡光层;
步骤S24,在所述基底和部分图案化的挡光层上形成色阻层;
步骤S25,在所述色阻层和图案化的薄膜晶体管结构层上形成平坦化层,去除部分平坦化层,以暴露出所述图案化的薄膜晶体管结构层的欧姆接触层,所述平坦化层可以为有机膜;
步骤S26,在所述平坦化层和图案化的薄膜晶体管结构层的欧姆接触层上形成数据线和晶体管源极、漏极,并在晶体管源极、漏极之间形成晶体管沟道区域;
步骤S27,在所述数据线、晶体管源极、沟道区域和平坦化层上形成保护层;
步骤S28,在所述晶体管漏极和部分保护层上形成像素电极。
实施例1
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