[发明专利]液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上依次形成挡光层和薄膜晶体管结构层；

图案化所述薄膜晶体管结构层和挡光层；

在所述基底和部分图案化的挡光层上形成色阻层。

2.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成挡光层包括：采用溅射工艺在所述基底上沉积挡光金属。

3.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成挡光层包括：在所述基底上涂布黑色树脂，固化所述黑色树脂。

4.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括依次形成在所述挡光层上的栅极金属层、栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层。

5.如权利要求4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管结构层包括：采用溅射工艺在所述挡光层上沉积栅极金属层。

6.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管结构层还包括：采用化学气相沉积工艺在所述栅金属层上连续沉积栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层。

7.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管结构层还包括：采用化学气相沉积工艺在所述栅金属层上连续沉积栅极绝缘层和非晶硅层，掺杂所述非晶硅层形成欧姆接触层。

8.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，图案化所述薄膜晶体管结构层和挡光层包括：

在所述欧姆接触层上涂布光刻胶；

采用半灰调掩模板曝光所述光刻胶；

采用干法刻蚀工艺刻蚀所述欧姆接触层、非晶硅层和栅极绝缘层；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述栅极金属层和挡光层。

9.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成色阻层包括：采用光刻工艺在所述基底和部分图案化的挡光层上形成色阻层。

10.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：在所述色阻层和图案化的欧姆接触层上形成平坦化层，去除部分平坦化层以暴露出所述图案化的欧姆接触层。

11.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成平坦化层，去除部分平坦化层以暴露出所述图案化的欧姆接触层包括：

在所述色阻层和图案化的欧姆接触层上涂布平坦化层；

固化所述平坦化层；

采用灰化工艺去除部分平坦化层以暴露出所述图案化的欧姆接触层。

12.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：在所述平坦化层和图案化的欧姆接触层上形成数据线和晶体管源极、漏极，并形成晶体管沟道区域。

13.如权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成数据线和晶体管源极、漏极，并形成晶体管沟道区域包括：

采用物理气相沉积工艺在所述平坦化层和图案化的欧姆接触层上沉积金属层；

采用光刻工艺刻蚀所述金属层，形成数据线和晶体管源极、漏极；

刻蚀所述晶体管源极、漏极之间的欧姆接触层并过刻蚀非晶硅层，形成晶体管沟道区域。

14.如权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述数据线形成在对应所述图案化的挡光层的位置。

15.如权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：在所述数据线、晶体管源极、沟道区域和平坦化层上形成保护层。

16.如权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成保护层包括：

采用化学气相沉积工艺在所述数据线、晶体管源极、漏极、沟道区域和平坦化层上沉积保护层；

采用光刻工艺刻蚀所述保护层以暴露出所述晶体管漏极。

17.如权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：在所述晶体管漏极和部分保护层上形成像素电极。