[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法无效
| 申请号： | 200910194621.7 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101996923A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括如下步骤：
在半导体基板上形成缓冲氧化层；
刻蚀缓冲氧化层和半导体基板，形成沟槽；
形成填满沟槽并覆盖缓冲氧化层的隔离氧化层；
采用化学机械抛光工艺平坦化所述隔离氧化层、缓冲氧化层至曝露出半导体基板。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，还包括刻蚀所述半导体基板，以调整隔离氧化层与半导体基板高度差的步骤。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成沟槽之后，形成隔离氧化层之前，还包括在沟槽内壁形成衬氧化层的步骤。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述化学机械抛光工艺中抛光液的主要成分为CeO2粒子。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成隔离氧化层的工艺为高密度等离子体化学气相沉积工艺。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲氧化层的厚度为300埃至500埃。
7.根据权利要求6所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，刻蚀缓冲氧化层和半导体基板，形成沟槽后所述缓冲氧化层的厚度小于100埃。
8.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的缓冲氧化层为二氧化硅或者氮氧化硅。
9.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的隔离氧化层材料为二氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
