[发明专利]像素阵列有效
| 申请号： | 200910189925.4 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101702065A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 冯佑雄 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦;李庆波 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列，其包括多条扫描线、多条数据线以及与所述扫描线和所述数据线耦接且阵列排列的多个像素结构，其特征在于，第i列像素结构中的每一像素结构包括：
开关元件，其控制端耦接第i条扫描线，其第一端耦接其中一条数据线；
像素单元，耦接所述开关元件的第二端；
补偿电容，耦接所述像素单元；以及
二极管，其阳极端耦接第(i+1)条扫描线，其阴极端耦接所述补偿电容。
2.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，每一像素单元包括：
液晶电容，其一端耦接所述开关元件的所述第二端以及所述补偿电容，其另一端耦接共用电压。
3.根据权利要求2所述的像素阵列，其特征在于，第i列像素结构中的每一像素单元还包括：
储存电容，其一端耦接所述开关元件的所述第二端以及所述补偿电容，其另一端耦接第(i+1)条扫描线。
4.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，每一二极管为薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极以及漏极两者中之一者与所述薄膜晶体管的栅极耦接。
5.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，当第(i+1)条扫描线致能时，与所述第(i+1)条扫描线耦接的所述二极管导通，并对补偿电容进行充电。
6.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，当第(i+1)条扫描线禁能时，与所述第(i+1)条扫描线耦接的所述二极管关闭，补偿电容电压电平维持不变。
7.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，每一像素单元包括：
像素电极，耦接所述开关元件的所述第二端以及所述补偿电容。
8.根据权利要求7所述的像素阵列，其特征在于，当耦接所述第(i+1)条扫描线的所述二极管导通时，所述对应的补偿电容提供所述对应的像素电极补偿电压。
9.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述补偿电容由像素电极以及构成所述二极管的所述阴极端的导电材料所组成。
10.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述补偿电容由像素电极以及导电结构组成。
11.根据权利要求10所述的像素阵列，其特征在于，所述导电结构的材质与所述像素电极的材质相同。
12.根据权利要求10所述的像素阵列，其特征在于，所述导电结构的材质与所述扫描线的材质相同。
13.根据权利要求10所述的像素阵列，其特征在于，所述导电结构的材质与所述数据线的材质相同。
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