[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：

形成于半导体衬底上的半导体层；

形成于所述半导体层上的阱区；

所述阱区中间填充有一电极接触层，所述电极接触层与所述半导体层表面平齐；

所述电极接触层两侧分别有横向扩散的源区，底面有扩散深阱，并且源区、深阱区、电极接触层两两接触。

2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电极接触层由金属材料构成。

3.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件还包括：

形成于所述半导体衬底上的缓冲层；所述半导体层生长于所述缓冲层上。

4.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件还包括：

形成于半导体层上的栅多晶硅层；所述栅多晶硅层由阱区外覆盖到阱区中的源区；

位于所述栅多晶硅层下的绝缘层；

穿过所述栅多晶硅层和所述绝缘层的孔；

通过所述孔与电极接触层电连接的发射极金属电极。

5.如权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅多晶硅层覆盖至填充的电极接触层上。

6.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：

单晶；

形成于单晶正面的阱区；

所述阱区中间填充有与所述单晶表面平齐的电极接触层；

所述电极接触层两侧分别有横向扩散的源区，底面有扩散深阱，并且源区、深阱区、电极接触层两两接触。

7.如权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电极接触层由金属材料构成。

8.如权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，所述单晶正面形成有栅多晶硅层，所述栅多晶硅层由阱区外覆盖到阱区中的源区，所述栅多晶硅层下具有绝缘层；所述栅多晶硅层和所述绝缘层上有一孔穿过；发射极金属电极通过所述孔与电极接触层电连接。

9.如权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅多晶硅层覆盖至填充的电极接触层上。

10.一种功率半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在形成于半导体衬底上的半导体层或第二导电类型的单晶正面上依次形成氧化层、氮化硅层；

在氮化硅层上形成光刻胶图形，用于限定阱区，然后用光刻胶图形的掩模，除去氮化硅，用残留的氮化硅层作掩模，将杂质离子注入阱区，扩散形成第一导电类型的阱；

同样以氮化硅为掩模，向阱中注入杂质离子，形成第二导电类型的源区；以氮化硅为掩模，刻蚀氧化硅层和半导体层，其深度要比源区深，然后向其中注入杂质离子，形成浓度较阱区高的第一导电类型的扩散区；

除去氮化硅层，向半导体层表面淀积一层电极接触层，该电极接触层需要将刻蚀的阱区填满，然后使电极接触层与半导体层表面相平。

11.如权利要求10所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在半导体衬底上形成半导体层的步骤具体为：

在半导体衬底上形成缓冲层，半导体衬底中有第一导电类型的半导体材料，缓冲层中有第二导电类型的半导体材料；在缓冲层上外延生长的半导体层，半导体层为第二导电类型。

12.如权利要求10所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在半导体层表面形成栅氧化层，淀积多晶硅层形成在栅氧化层上；

形成栅多晶硅层掩模，刻蚀多余的多晶硅层，使残留的多晶硅层覆盖沟道区及源区；

淀积一绝缘层，刻蚀接触层上的绝缘层及栅氧化层，淀积发射极的金属层，使金属层与电极接触层电连接。

13.如权利要求10所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于，所述栅多晶硅层还覆盖至填充的电极接触层上。