[发明专利]细化二次晶粒尺寸的高磁感取向硅钢的制备方法有效
| 申请号： | 200910187784.2 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102031342A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋奇武;金文旭;张静;付勇军;游清雷;张海利;庞树芳;王晓达 | 申请（专利权）人： | 鞍钢股份有限公司 |
| 主分类号： | C21D1/09 | 分类号： | C21D1/09;C21D8/12;C21D1/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 114021 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 细化 二次 晶粒 尺寸 高磁感 取向 硅钢 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种细化二次晶粒尺寸的高磁感取向硅钢的制备方法，包括冶炼、连铸、热轧、常化、冷轧、脱碳退火、涂覆隔离层、高温退火和涂覆绝缘涂层等工艺，其特征在于在脱碳退火前对冷轧板进行激光照射处理，使钢板表面形成相互平行且等距的线状应变区。
2.根据权利要求1所述的高磁感取向硅钢的制备方法，其特征在于所述激光照射处理应变区的宽度为100～200μm，应变区的间距为10～20mm，应变区的深度为20～100μm，应变区与钢板轧向的夹角为60～120°。
3.根据权利要求1或2所述的高磁感取向硅钢的制备方法，其特征在于所述硅钢以AlN为主要抑制剂，其最终冷轧厚度为0.20～0.35mm，平均二次晶粒尺寸≥8mm。
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