[发明专利]一种高散热电路基板及其制造方法无效
| 申请号: | 200910187258.6 | 申请日: | 2009-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN101652020A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
| 发明(设计)人: | 蔡绮睿;蒋增钦;庞树军;杨鹏 | 申请(专利权)人: | 大连九久光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K7/20;H05K3/00;H01L33/00 |
| 代理公司: | 大连科技专利代理有限责任公司 | 代理人: | 于忠晶 |
| 地址: | 116300辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 散热 路基 及其 制造 方法 | ||
1.一种高散热电路基板,其特征在于:所述高散热电路基板包括:
一导电线路层,可供放置至少一电子组件,且其上具有线路以连接所述电子组件;
一绝缘层,位于所述导电线路层的一侧;以及
一石墨导热层,置于所述绝缘层的一侧,可将所述电子组件所产生的热均匀散出。
2.根据权利要求1所述的高散热电路基板,其特征在于:所述导电线路层由金、银、铜或其合金以印刷、贴合、热压、蒸镀或电镀方式所制成。
3.根据权利要求1所述的高散热电路基板,其特征在于:所述绝缘层是由高分子材料所制成,所述高分子材料为还氧树酯或含有玻璃纤维的环氧树酯。
4.根据权利要求1所述的高散热电路基板,其特征在于:所述绝缘层是由陶瓷粉末所制成,所述陶瓷粉末为三氧化二铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)或氮化硼(BN)材料。
5.根据权利要求1所述的高散热电路基板,其特征在于:所述电子组件为发光二极管。
6.根据权利要求1所述的高散热电路基板,其特征在于:所述石墨导热层进一步具有复数个鳍片。
7.根据权利要求1所述的高散热电路基板,其特征在于:所述石墨导热层表面进一步覆盖有一金属层,以防止所述石墨导热层粉化。
8.一种高散热电路基板的制造方法,其特征在于:所述高散热电路基板的制造方法包括下列步骤:
A.使用一金属物质或其合金制作一导电线路层;
B.于所述导电线路层上形成至少一线路;
C.使用一绝缘物质制作一绝缘层;
D.将一石墨导热层接合于所述绝缘层的另一侧。
9.根据权利要求8所述的高散热电路基板的制造方法,其特征在于:所述导电线路层由金、银、铜或其合金以印刷、贴合、热压、蒸镀或电镀方式所制成。
10.根据权利要求8所述的高散热电路基板的制造方法,其特征在于:所述绝缘层是由高分子材料所制成,其可以贴合及热压方式与所述石墨导热层接合,所述高分子材料为还氧树酯或含有玻璃纤维的环氧树酯。
11.根据权利要求8所述的高散热电路基板的制造方法,其特征在于:所述绝缘层是由陶瓷粉末,然后使用可溶解所述陶瓷粉末的酸性溶液作为载体,将所述陶瓷粉末完全或部分溶解在这些载体中,并先均匀印刷或涂布在所述石墨散热层上以与所述石墨散热层接合,其中,所述陶瓷粉末为三氧化二铝、氮化铝、碳化硅或氮化硼,所述酸性溶液为硝酸、盐酸或磷酸。
12.根据权利要求11所述的高散热电路基板的制造方法,其特征在于:所述绝缘层是由陶瓷粉末,然后使用可溶解所述陶瓷粉末的酸性溶液作为载体,并用高温将所述载体蒸发掉,形成所述绝缘层与石墨散热层接合。
13.根据权利要求11所述的高散热电路基板的制造方法,其特征在于:所述绝缘层是由陶瓷粉末,然后使用可溶解所述陶瓷粉末的酸性溶液作为载体,用高温热压的方法先将所述载体蒸发掉,并形成所述绝缘层与所述石墨散热层紧密的接合。
14.根据权利要求11所述的高散热电路基板的制造方法,其特征在于:所述绝缘层是由陶瓷粉末,然后使用相对应的碱性溶液将所述酸性载体中和后,原本溶解在所述酸性载体的陶瓷粉被释放出来并且结合成一薄膜层,用高温将所述载体蒸发掉,以形成所述绝缘层与所述石墨散热层接合,其中,所述碱性溶液为氢氧化钠。
15.根据权利要求11所述的高散热电路基板的制造方法,其特征在于:所述绝缘层是由陶瓷粉末,然后使用相对应的碱性溶液将所述酸性载体中和后,原本溶解在所述酸性载体的陶瓷粉被释放出来并且结合成一薄膜层,用高温热压的方法先将所述载体蒸发掉,并形成所述绝缘层与石墨散热层紧密的接合,其中,所述碱性溶液为氢氧化钠。
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