[发明专利]一种高线性度折叠混频器

权利要求书

1.一种高线性度折叠混频器，包括跨导级和混频核心电路，其特征是：所 述跨导级为高线性度跨导级电路，与所述混频核心电路级联；

所述高线性度跨导级电路包括，第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)、 第五NMOS管(M5)和第六NMOS管(M6)、第三PMOS管(M3)和第四 PMOS管(M4)、第七PMOS管(M7)和第八PMOS管(M8)分别构成双管 跨导单元；每个双管跨导单元的两管的源端相连，两管的漏端也相连；所述每 个双管跨导单元内的两管采用不同的尺寸，偏置在不同的电压下；一个管子偏 置在饱和区，作为主跨导管，另一个管子偏置在亚阈值区，作为辅助跨导管， 用于抵消主跨导管的失真产物；其中第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、 第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)的源端接地，第三PMOS管(M3)、 第四PMOS管(M4)、第七PMOS管(M7)、第八PMOS管(M8)的源端接电 源电压，并且第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)的漏端与第三PMOS 管(M3)、第四PMOS管(M4)的漏端相连接，第五NMOS管(M5)、第六 NMOS管(M6)的漏端与第七PMOS管(M7)、第八PMOS管(M8)的漏端 相连接；

所述第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第五NMOS管(M5)、 第六NMOS管(M6)的栅极与射频信号连接，第三PMOS管(M3)、第四PMOS 管(M4)、第七PMOS管(M7)、第八PMOS管(M8)的栅极通过各自对应的 电容与射频信号连接；其中，第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第 三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)的栅极是接射频信号正极，第五NMOS 管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七PMOS管(M7)、第八PMOS管(M8) 的栅极是接射频信号负极；

第一NMOS管(M1)漏端和第六NMOS管(M6)漏端接第一偏置电压 (vbias1)，第二NMOS管(M2)漏端和第五NMOS管(M5)漏端接第二偏置 电压(vbias2)，第三PMOS管(M3)漏端和第七PMOS管(M7)漏端接第三 偏置电压(vbias3)，第四PMOS管(M4)漏端和第八PMOS管(M8)漏端接 第四偏置电压(vbias4)；通过调节双管跨导单元的两管工作在不同偏置电压可 得到具有很小三阶非线性失真特性的跨导单元；

所述混频核心电路包括开关级电路和负载级电路，开关级电路将跨导级电 路产生的差分电流按本振频率切换方向，在负载级电路经滤除多余频谱成分形 成最终混频输出。

2.如权利要求1所述的一种高线性度折叠混频器，其特征是，所述开关级 电路包括第九～第十二PMOS管(M9～M12)，其中第九PMOS管(M9)、第十 PMOS管(M10)的栅极分别接本振信号负极(LO-)和本振信号正极(LO+)， 第九PMOS管(M9)、第十PMOS管(M10)的共源端接第三PMOS管(M3)、 第四PMOS管(M4)的漏端；

第十一PMOS管(M11)、第十二PMOS管(M12)的栅极分别接本振信号 正极(LO+)和本振信号负极(LO-)，第十一PMOS管(M11)、第十二PMOS 管(M12)的共源端接第七PMOS管(M7)、第八PMOS管(M8)的漏端；第 九PMOS管(M9)和第十一PMOS管(M11)共漏端，接混频器负载负极；第 十PMOS管(M10)和第十二PMOS管(M12)共漏端，接混频器负载正极。