[发明专利]绝缘栅双极晶体管无效
| 申请号： | 200910179034.0 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101714573A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 伊藤将之 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，包括：
衬底区域；以及
集电极部，其形成在所述衬底区域的表面部分中，
其中所述集电极部包括：
缓冲区域；
p+型区域，其形成在所述缓冲区域中；以及
n+型区域，其形成在所述缓冲区域中。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，进一步包括：
发射极部；
绝缘栅极；以及
栅极绝缘膜，其形成在所述绝缘栅极和所述衬底区域之间，
其中所述缓冲区域包括n型半导体，
其中所述衬底区域包括n型半导体，以及
其中所述发射极部包括：
p型阱区域；
n+型发射极区域，其形成在所述p型阱区域中；以及
p+型接触区域，其形成在所述p型阱区域中。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，进一步包括：
发射极部；
绝缘栅极；以及
栅极绝缘膜，其形成在所述绝缘栅极和所述衬底区域之间，
其中所述缓冲区域包括p型半导体，
其中所述衬底区域包括p型半导体，以及
其中所述发射极部包括：
n型阱区域；
p+型发射极区域，其形成在所述n型阱区域中；以及
n+型接触区域，其形成在所述n型阱区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910179034.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铣开口扳方孔专用夹具
- 下一篇：脉冲磁场条件下非晶薄带热处理工艺与装置
- 同类专利
- 专利分类
