[发明专利]讯号接收器以及电压补偿方法

说明书

技术领域

本发明涉及一讯号接收器，特别是涉及一种可以补偿一输出讯号的电压偏移(voltage offset)以使得一输出端的直流电压电平可以维持在一固定值的讯号接收器。

背景技术

一般而言，存储器可以区分为两类：易失性存储器(volatile memory)，例如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，以及非易失性存储器(non-volatile memory)。这两类存储器的差异在于当外部电源关闭时，存储器内部所储存的数据是否能长时间存在，其中当外部电源关闭时，动态随机存取存储器中所储存的数据会消失，但是非易失性存储器中所储存的数据仍会保留。

请参考图1，图1为现有的存储器模块中的讯号接收器在发生参考电压偏移时所产生的问题的示意图。如图1所示，V_REF为存储器模块中的一讯号接收器的参考电压，V_REF’以及V_REF”为发生电压偏移的参考电压，V_IN为讯号接收器的一输入讯号，V_OUT、V_OUT’、M_OUT”为当输入讯号V_IN输入至讯号接收器后，讯号接收器所产生的输出讯号。如果参考电压没有发生电压偏移，则讯号接收器所产生的输出讯号为V_OUT，然而，若参考电压发生电压偏移(其电压为V_REF’或是V_REF”)，则讯号接收器所产生的输出讯号为V_OUT’或是V_OUT”。因此，如图1所示，如果参考电压发生电压偏移，输出讯号V_OUT’或是V_OUT”的工作周期(duty cycle)会与输出讯号V_OUT的工作周期不同，这种现象会影响到存储器模块在存取数据时的正确性。

因此，如何解决存储器模块中的讯号接收器在发生参考电压偏移时所产生的问题为一重要的课题。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于提供一种讯号接收器以及相关的电压补偿方法，以解决上述的问题。

依据本发明的一实施例，一讯号接收器包含有一第一输入端点、一第二输入端点、一第一晶体管、一第二晶体管以及一可变负载。该第一晶体管以及该第二晶体管均包含有一栅极、一第一电极以及一第二电极，该第一晶体管的栅极系耦接于该第一输入端点，该第二晶体管的栅极系耦接于该第二输入端点，该可变负载系耦接于该第一晶体管的第一电极，其中该可变负载的电阻系被调整以使得该讯号接收器的一输出端的直流电压电平可以维持在一固定值。

依据本发明的另一实施例，一电压补偿方法包含有：提供一第一晶体管，其中该第一晶体管包含有一栅极、一第一电极以及一第二电极，且该第一晶体管的栅极耦接于一第一输入端点；提供一第二晶体管，其中该第二晶体管包含有一栅极、一第一电极以及一第二电极，且该第二晶体管的栅极耦接于一第二输入端点；提供一可变负载，该可变负载耦接于该第一晶体管的第一电极；以及调整该可变负载的电阻值以使得该讯号接收器的一输出端的直流电压电平可以维持在一固定值。

附图说明

图1为现有的存储器模块中的讯号接收器在发生参考电压偏移时所产生的问题的示意图。

图2为依据本发明一实施例的一讯号接收器200的示意图。

图3为本发明的讯号接收器300的概念架构图。

图4为依据本发明一实施例的补偿电压偏移方法的流程图。

附图符号说明