[发明专利]讯号接收器以及电压补偿方法有效

专利信息
申请号: 200910175126.1 申请日: 2009-09-16
公开(公告)号: CN101997536A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 郑文昌 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;G11C7/10;G05F1/56
代理公司: 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 代理人: 刘云贵
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 讯号 接收器 以及 电压 补偿 方法
【权利要求书】:

1.一种讯号接收器,其特征在于,包含有:

一第一讯号输入端点;

一第二讯号输入端点;

一第一晶体管,包含有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该栅极耦接于该第一讯号输入端点;

一第二晶体管,包含有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该第二晶体管的该栅极耦接于该第二讯号输入端点;

一第一可变负载,耦接于该第一晶体管的该第一电极,且具有一可调电阻值以使得该讯号接收器的一输出端点的直流电压电平维持在一固定值。

2.如权利要求1所述的讯号接收器,其特征在于还包含有:

一控制讯号产生器,耦接于该第一可变负载,用来产生对应于该第一讯号输入端点的一电压电平的一第一控制讯号,且使用该第一控制讯号来调整该第一可变负载的电阻值。

3.如权利要求2所述的讯号接收器,其特征在于该第一晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管,且当该第一讯号输入端点的该电压电平下降时,该控制讯号产生器使用该第一控制讯号以增加该第一可变负载的电阻值;以及当该第一讯号输入端点的该电压电平上升时,该控制讯号产生器使用该第一控制讯号以降低该第一可变负载的电阻值。

4.如权利要求2所述的讯号接收器,其特征在于该第一晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管,且当该第一讯号输入端点的该电压电平增加时,该控制讯号产生器使用该第一控制讯号以增加该第一可变负载的电阻值;以及当该第一讯号输入端点的该电压电平下降时,该控制讯号产生器使用该第一控制讯号以降低该第一可变负载的电阻值。

5.如权利要求2所述的讯号接收器,其特征在于该控制讯号产生器藉由比较该第一讯号输入端点的该电压电平以及一预定电压电平,以产生该第一控制讯号。

6.如权利要求2所述的讯号接收器,其特征在于还包含有:

一第二可变负载,耦接于该第二晶体管的该第一电极;

其中该控制讯号产生器还至少依据该第一讯号输入端点的该电压电平以产生一第二控制讯号,且使用该第二控制讯号以调整该第二可变负载的电阻值。

7.如权利要求6所述的讯号接收器,其特征在于该第一晶体管以及该第二晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管,且当该第一讯号输入端点的该电压电平下降时,该控制讯号产生器使用该第一控制讯号以增加该第一可变负载的电阻值;当该第一讯号输入端点的该电压电平上升时,该控制讯号产生器使用该第一控制讯号以降低该第一可变负载的电阻值;当该第一讯号输入端点的该电压电平下降时,该控制讯号产生器使用该第二控制讯号以降低该第一可变负载的电阻值;以及当该第一讯号输入端点的该电压电平上升时,该控制讯号产生器使用该第二控制讯号以增加该第一可变负载的电阻值。

8.如权利要求6所述的讯号接收器,其特征在于该第一晶体管以及该第二晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管,且当该第一讯号输入端点的该电压电平增加时,该控制讯号产生器使用该第一控制讯号以增加该第一可变负载的电阻值;当该第一讯号输入端点的该电压电平下降时,该控制讯号产生器使用该第一控制讯号以降低该第一可变负载的电阻值;当该第一讯号输入端点的该电压电平增加时,该控制讯号产生器使用该第二控制讯号以降低该第一可变负载的电阻值;以及当该第一讯号输入端点的该电压电平下降时,该控制讯号产生器使用该第二控制讯号以增加该第一可变负载的电阻值。

9.如权利要求6所述的讯号接收器,其特征在于该控制讯号产生器藉由比较该第一讯号输入端点的该电压电平以及一预定电压电平,以产生该第一控制讯号以及该第二控制讯号。

10.一种电压补偿方法,其特征在于包含有:

提供一第一晶体管,其中该第一晶体管包含有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该栅极耦接于一第一讯号输入端点;

提供一第二晶体管,其中该第二晶体管包含有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该第二晶体管的该栅极耦接于一第二讯号输入端点;

提供一第一可变负载耦接于该第一晶体管的该第一电极;

调整该第一可变负载的电阻值以使得一讯号接收器的一输出端点的直流电压电平维持在一固定值。

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