[发明专利]NiMnZn系铁氧体

说明书

技术领域

本发明提供一种例如在2MHz以上程度的高频下，能够降低磁损 耗(磁芯损耗：core loss)，并能够形成高烧结密度，实现高饱和磁通 密度的新型NiMnZn系铁氧体。

背景技术

近年来，伴随电子仪器的小型化、轻量化，开关电源的小型化正 在发展。MnZn铁氧体和MnZnNi铁氧体，由于其饱和磁通密度高，所 以被广泛用于开关电源用的变压器和扼流圈等的电感元件。

现有的开关电源电路，为了减小工作电压，倾向于在高频下开关， 由此，期望用于该开关电源电路的铁氧体磁芯在高频下的磁损耗(磁 芯损耗)也低。

而且，铁氧体扼磁芯的磁损耗(磁芯损耗)由磁滞损耗、涡电流 损耗、剩余损耗构成。磁滞损耗根据直流磁滞，与频率成比例地改变； 涡电流损耗根据因电磁感应作用而产生的涡电流发生的电动势，与频 率的二次方成比例地增加；剩余损耗是剩余的损耗，可以认为：所谓 磁畴壁共鸣、自然共鸣、扩散共鸣是其产生的要因。

作为被认为与本发明相关的现有技术，有以下的文献。在日本特 开2007-51052中，提出了一种有关即使在2MHz以上的频率下也以能 够广温度范围成为低电力损耗的MnZnNi系铁氧体的方案。作为副成 分，必须含有Ta，而本发明并不是必须含有Ta。

而且，在日本特开2007-51052号中，也暗示了Nb的添加，然而， 与本发明的添加范围不同，并且，形成的所期望的平均晶体粒径也不 同。

在日本专利第3597666(日本特开平10-270231)中，提出了一种 用于电源用变压器等的磁芯且在1MHz程度以上的高频下损耗小的 MnNi铁氧体系材料的方案。

而且，也暗示了Nb的添加，但是与本发明的添加范围不同。并且， 关于形成的所期望的平均晶体粒径没有公开。仅记载了在1MHz的频 率下的实验，未记载在2MHz下的效果确认实验。

在日本特开平10-326706中，提出了一种在1MHz程度以上的高 频范围下损耗小、且烧结密度高、高强度的铁氧体材料的方案。

Nb的添加没有公开和暗示。并且，关于形成的所期望的平均晶体 粒径也没有公开。仅记载了在1MHz的频率下的实验，未记载在2MHz 下的效果确认实验。

在日本专利第3917216(日本特开平10-64715)中，提出了一种用 于开关电源等的电源变压器等、具有高的饱和磁通密度、且损耗小的 铁氧体磁芯材料的方案。

而且，也暗示了Nb的添加，但与本发明的添加范围不同。关于形 成的所期望的平均晶体粒径没有公开。仅记载了在100kHz的频率下的 实验，未记载在2MHz下的效果确认实验。

在日本专利第3597673(日本特开平11-3813)中，提出了一种在 1MHz程度以上的高频范围下损耗小的铁氧体材料的方案。

而且，也暗示了Nb的添加，但与本发明的添加范围不同。关于形 成的所期望的平均晶体粒径没有公开。仅记载了在1MHz的频率下的 实验，未记载在2MHz下的效果确认实验。

在日本特开平7-211533中，提出了一种用于开关电源等、在高频 下损耗小、且剩磁通密度小的氧化物磁性材料的制造方法的方案。

特开平7-211533涉及MnZn铁氧体，而不涉及MnZnNi铁氧体(参 照Ni＝0的本发明的比较例)。

仅记载在500kMz和1MHz的频率下的实验，未记载在2MHz下 的效果确认实验。

基于这种实际情况，最期望一种可对应更高的高频铁氧体、特别 在2MHz以上程度的高频下，能够减少磁损耗(磁芯损耗)、并能够形 成高烧结密度，实现高的饱和磁通密度化的新型NiMnZn系铁氧体的 方案。

发明内容

本发明是基于这种实际情况而提出的技术方案，其目的在于：提 供一种在2MHz以上程度的高频下，能够减少磁损耗(磁芯损耗)、并 能够形成高烧结密度，实现高的饱和磁通密度化的新型NiMnZn系铁 氧体。